[发明专利]基于低电源电压bandgap高可靠的启动电路及控制方法

说明书

本发明提供了一种基于低电源电压bandgap高可靠的启动电路及控制方法，包括：第一启动模块；带隙基准模块，所述带隙基准模块的第一端与所述第一启动模块电连接；第二启动模块，所述第二启动模块与所述带隙基准模块的第二端电连接。本发明所述的基于低电源电压bandgap高可靠的启动电路，结构简单，可靠性高，启动稳定，成本低，应用范围广泛，解决了低电源电压带隙基准电路的启动问题。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种基于低电源电压bandgap高可靠的启动电路及控制方法。

背景技术

带隙基准电路的特点是产生一个不随电源电压和温度变化的基准电压，它是一个通用模块，在集成电路中应用非常广泛，例如为LDO，ADC以及比较器等模块提供参考电压。随着集成电路的特征尺寸越来越小以及低功耗的要求，芯片的工作电压越来越低，低电源电压的带隙基准(如图6所示)应用越来越广泛，低电源电压结构的带隙基准相对常规带隙基准电路有两大特点第一工作电压低甚至可以低到1V以下，第二可以方便的产生低于1.2V的基准电压，方便低功耗应用，比如在CMOS工艺中做一个输出电压低于1.2V的LDO，这种结构就非常方便了，而常规的带隙基准只能产生1.2V的基准电压。带隙基准电路常常需要启动电路，让其脱离简并点工作在设定的工作点，常规带隙基准电路如图5所示，只有两个简并点，让其脱离零点即可，电路的负反馈自然会将静态工作点建立在设定的点，因此常规带隙基准的启动电路简单。而对于图6中低压结构的带隙基准电路由于在Q1和Q2的两端并联了一个电阻这就导致该电路存在三个简并点，比常用的带隙基准多了一个简并点，Q1和Q2为PNP管，由于基极接和集电极接地，这时Q1和Q2等效为一个二极管，这个简并点的特点就时Q1和Q2等效的二极管没有导通这时，所有来自PM1和PM2的电流I1和I2只流过R2和R3，这时Q1和Q2的发射极的电压低于其导通电压。本发明基于这个简并点的特点以及二极管的电流与电压的关系曲线，发明了一种高可靠的启动电路。

发明内容

本发明提供了一种基于低电源电压bandgap高可靠的启动电路及控制方法，其目的是为了解决传统的低电源电压带隙基准电路的启动问题。

为了达到上述目的，本发明的实施例提供了一种基于低电源电压bandgap高可靠的启动电路，包括：

第一启动模块；

带隙基准模块，所述带隙基准模块的第一端与所述第一启动模块电连接；

第二启动模块，所述第二启动模块与所述带隙基准模块的第二端电连接。

其中，所述第一启动模块包括：

第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极端与电源端电连接；

第一电阻，所述第一电阻的第一端与所述第一PMOS管的漏极端电连接；

第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极端与所述第一电阻的第二端电连接，所述第一NMOS管的源极端与接地端电连接；

第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极端与所述第一NMOS管的漏极端电连接，所述第二NMOS管的栅极端与所述第二NMOS管的漏极端电连接，所述第二NMOS管的源极端与所述第一NMOS管的源极端电连接；

第三NMOS管，所述第三NMOS管的栅极端与所述第二NMOS管的栅极端电连接，所述第三NMOS管的源极端与所述第二NMOS管的源极端电连接。

其中，所述带隙基准模块包括：

第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极端与电源端电连接，所述第二PMOS管的栅极端与所述第三NMOS管的漏极端电连接；

第二电阻，所述第二电阻的第一端与所述第二PMOS管的漏极端电连接，所述第二电阻的第二端与接地端电连接；