[发明专利]一种具有高单纵模稳定性的半导体激光器在审
| 申请号： | 202110432803.4 | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113300215A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 陈洋俊;奚燕萍 | 申请（专利权）人： | 日照市艾锐光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/065 | 分类号： | H01S5/065;H01S5/22 |
| 代理公司： | 苏州创智慧成知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32419 | 代理人： | 付伟 |
| 地址： | 276800 山东省日*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 高单纵模 稳定性 半导体激光器 | ||
1.一种具有高单纵模稳定性的半导体激光器，所述半导体激光器为FP脊波导激光器，其特征在于，所述FP脊波导激光器还包括通过刻蚀脊波导形成的失谐双光栅区，所述失谐双光栅区构成高Q带通滤波器，所述失谐双光栅区包括级联的不同光栅周期的第一失谐光栅区和第二失谐光栅区；FP腔内本征的多激射模式通过高Q带通滤波器，频谱被纯化，再通过有源区非线性增益介质的放大，将频谱展宽，如此往复，所述FP脊波导激光器的频谱经多次滤波后被压窄，最终形成单纵模激射振荡。
2.根据权利要求1所述的一种具有高单纵模稳定性的半导体激光器，其特征在于，利用所述第一失谐光栅区和第二失谐光栅区的透射谱的高锐通带边缘形成所述高Q带通滤波器的高Q窄带带通滤波特性。
3.根据权利要求1所述的一种具有高单纵模稳定性的半导体激光器，其特征在于，所述失谐双光栅区沿z轴方向的长度为FP腔沿z轴方向总长度的7％～15％，且所述第一失谐光栅区和第二失谐光栅区的长度相等。
4.根据权利要求1所述的一种具有高单纵模稳定性的半导体激光器，其特征在于，所述脊波导沿x轴方向的宽度w1为1.5～2.5μm，所述失谐双光栅区沿x轴方向的宽度w2的数值范围为w1≤w2≤4μm。
5.根据权利要求1所述的一种具有高单纵模稳定性的半导体激光器，其特征在于，所述失谐双光栅区的刻蚀深度与所述脊波导沿y轴方向的厚度相同。
6.根据权利要求1所述的一种具有高单纵模稳定性的半导体激光器，其特征在于，所述失谐双光栅区的光栅的倾斜角为2～4度。
7.根据权利要求1所述的一种具有高单纵模稳定性的半导体激光器，其特征在于，所述第一失谐光栅区和第二失谐光栅区的光栅布拉格波长差为36～43纳米。
8.根据权利要求7所述的一种具有高单纵模稳定性的半导体激光器，其特征在于，所述第一失谐光栅区和第二失谐光栅区的光栅布拉格波长差为40纳米。
9.根据权利要求1-8任一所述的一种具有高单纵模稳定性的半导体激光器，其特征在于，所述FP脊波导激光器沿y轴方向自下而上依次为衬底、下包层、有源层、上包层和上包层脊条部分，沿z轴方向依次为后端面、第一FP腔电注入区，第一失谐光栅区、第二失谐光栅区、第二FP腔电注入区和前端面。
10.根据权利要求9所述的一种具有高单纵模稳定性的半导体激光器，其特征在于，所述失谐双光栅区无电注入。
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