[发明专利]一种针对强磁场环境的测温校准方法

权利要求书

1.一种针对强磁场环境的测温校准方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）对测温元件进行标定；

2）将测温元件设置于控温炉体模块中，并将所述控温炉体模块放置于强磁场设备中，然后向所述测温元件通过恒定的电流；

3）调节所述强磁场设备使磁场强度为0，将所述控温炉体模块加热或冷却至多个不同的指定温度作为参考温度；

4）针对每个所述指定温度，调节所述强磁场设备以产生不同强度的磁场，记录磁场变化过程中所述测温元件的温度信号的变化情况；

5）根据参考温度与不同磁场环境下所述测温元件的测温信号的变化情况，拟合得到温度修正系数以及温度和磁场强度的关系式，实现对强磁场环境中测温信号的修正。

2.根据权利要求1所述的针对强磁场环境的测温校准方法，其特征在于，

所述步骤2）中，在将所述控温炉体模块放置于强磁场设备中时，还通过调节使所述测温元件处于所述强磁场设备产生的强磁场的中心位置。

3.根据权利要求1所述的针对强磁场环境的测温校准方法，其特征在于，

所述步骤4）中，在，每个所述指定温度进入稳态后，调节所述强磁场设备使磁场强度由0T逐步升至5T，得到所述测温元件的温度信号随磁场强度的变化曲线。

4.根据权利要求1所述的针对强磁场环境的测温校准方法，其特征在于，

所述测温元件为热电偶或铂电阻温度计。

5.根据权利要求2中任一项所述的针对强磁场环境的测温校准方法，其特征在于，

所述控温炉体模块包括高温模块和低温模块。

6.根据权利要求5所述的针对强磁场环境的测温校准方法，其特征在于，

所述高温模块包括：

壳体；

支持于所述壳体内部的加热模块；

设置于所述加热模块上的样品台；以及

放置于所述样品台底部的测温元件。

7.根据权利要求6所述的针对强磁场环境的测温校准方法，其特征在于，

所述高温模块的内部通有保护气体；

所述样品台由高导热材料构成。

8.根据权利要求5所述的针对强磁场环境的测温校准方法，其特征在于，

所述低温模块包括：

壳体；

从所述壳体顶部向下方延伸的液氮管路；

包围所述液氮管路的末端的液氮腔；

从所述液氮腔向下方延伸的冷指；

设置于所述冷指的末端，内部安装有加热电阻丝的样品支架；以及

设置于所述样品支架上的测温元件。

9.根据权利要求8中任一项所述的针对强磁场环境的测温校准方法，其特征在于，

所述低温模块的所述壳体上还设置有用于将所述壳体内部抽至真空环境的抽真空口；

所述冷指和所述样品支架由高导热材料构成。