[发明专利]一种铋铬复合氧化物半导体光催化剂及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种铋铬复合氧化物半导体光催化剂，其特征在于，其分子式为Cr₂Bi₃O₁₁，呈棒状结构，长度介于1～1.5微米之间，直径为150纳米，最大吸光波长为560纳米，带隙为2.15 eV。

2.一种如权利要求1所述铋铬复合氧化物半导体光催化剂的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）在20～100摄氏度的条件下，将五水合硝酸铋分散在去离子水中，得到白色的悬浊液；

（2）在室温下，将四水合铬酸钠溶解在去离子水中，得到黄绿色的透明溶液；

（3）将步骤（2）的铬酸钠溶液逐滴加入到步骤（1）中的硝酸铋悬浊液中，连续搅拌得到黄色的悬浊液；

（4）将步骤（3）的悬浊液在20～100摄氏度的条件下连续搅拌0.5～24小时，自然冷却后得到黄色的沉淀；

（5）将步骤（4）中的沉淀进行过滤，收集固体，用去离子水和乙醇充分洗涤，并进行真空干燥，研磨得到黄色的粉末状的Cr₂Bi₃O₁₁半导体光催化剂。

3.如权利要求2所述铋铬复合氧化物半导体光催化剂的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中五水合硝酸铋的浓度为0.01～0.10 mol / L。

4.如权利要求2所述铋铬复合氧化物半导体光催化剂的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中五水硝酸铋与铬酸钠的摩尔比在1:（0.1～5.0）之间。

5.如权利要求2所述铋铬复合氧化物半导体光催化剂的制备方法，其特征在于，所述步骤（5）中干燥温度为5～100摄氏度，干燥时间为8～72小时。

6.如权利要求1所述铋铬复合氧化物半导体光催化剂用于有机污染物降解的应用，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在含有有机污染物的废水中加入Cr₂Bi₃O₁₁半导体光催化剂，催化剂的加入质量与废水的体积比为0.01～5 g / L；

（2）充分搅拌，使Cr₂Bi₃O₁₁半导体光催化剂均匀分散在废水中；

（3）采用波长范围300～800nm的光辐照上述废水。