[发明专利]一种炉管机台有效
申请号: | 202110433831.8 | 申请日: | 2021-04-21 |
公开(公告)号: | CN113078081B | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 李劲昊;姜尧 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32;C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 柳虹 |
地址: | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 炉管 机台 | ||
1.一种炉管机台,其特征在于,包括:
反应腔室,位于所述反应腔室内的多个第一输气管以及第二输气管,所述反应腔室内的垂直放置的晶舟;多个所述第一输气管分别对应所述晶舟的不同区域;
每个所述第一输气管的管壁上均设置有多个第一出气孔,所述第一输气管用于输送第一气体,以诱导反应气体生成等离子体;每个所述第一输气管上的第一出气孔在所述第一输气管的延伸方向上以相同的间距依次排布,使相邻的所述第一输气管之间最邻近的第一出气孔处的第一气体的浓度高于其他位置;
所述第二输气管的管壁上设置有多个第二出气孔,每个所述第二出气孔分别对应相邻所述第一输气管之中最邻近的第一出气孔;所述第二输气管用于输送第二气体,以调节所述最邻近的第一出气孔之间第一气体的浓度。
2.根据权利要求1所述的炉管机台,其特征在于,所述第二出气孔包括第一子出气孔和第二子出气孔,所述第一子出气孔和所述第二子出气孔分别对应相邻第一输气管上最邻近的第一出气孔。
3.根据权利要求1所述的炉管机台,其特征在于,所述第一气体为氢气,所述第二气体为氮气,所述反应气体包括氧气。
4.根据权利要求3所述的炉管机台,其特征在于,还包括:第三输气管,所述第三输气管用于输送氧气。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的炉管机台,其特征在于,所述第一输气管的数量为四个;
所述第二输气管与每个所述第一输气管的距离相等。
6.根据权利要求1-4任意一项所述的炉管机台,其特征在于,在所述第一输气管的延伸方向上,所述多个第一输气管的长度呈渐进变化。
7.根据权利要求1-4任意一项所述的炉管机台,其特征在于,所述第二输气管与供气装置之间设置有控制开关,所述控制开关用于控制所述第二气体的流量。
8.根据权利要求1-4任意一项所述的炉管机台,其特征在于,所述反应腔室内设置有监控器,所述监控器用于监控所述第二气体的含量。
9.根据权利要求1-4任意一项所述的炉管机台,其特征在于,所述多个第一输气管位于所述反应腔室的侧壁上,所述第二输气管位于所述反应腔室的中心。
10.根据权利要求1-4任意一项所述的炉管机台,其特征在于,所述第一气体的流量是根据所述反应腔室的参数确定的,所述参数包括:温度、压强和/或所述反应气体含量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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