[发明专利]一种芯片缺陷检测方法在审
申请号: | 202110435622.7 | 申请日: | 2021-04-22 |
公开(公告)号: | CN113299572A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 贺晓辉;李迈克;石磊;陈耿 | 申请(专利权)人: | 重庆工程职业技术学院 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 重庆莫斯专利代理事务所(普通合伙) 50279 | 代理人: | 刘强 |
地址: | 402284 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 缺陷 检测 方法 | ||
1.一种芯片缺陷检测方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、提供一表面制备有多个相同芯片的晶圆,且该多个相同芯片在晶圆上呈矩阵式排列;
S2、选定一待测芯片,并以待测芯片的几何中心为原点作虚拟的平面直角坐标系,平面直角坐标系的X轴与晶圆对准标记的开口方向垂直,Y轴与晶圆对准标记的开口方向平行,选择平面直角坐标系四个象限角平分线上的芯片作为对比芯片,所述对比芯片至少选择两个;
S3、获取所述待检测芯片和所述对比芯片的数据图像;
S4、将每个所述对比芯片的数据图像分别与所述待测芯片的数据图像进行一一对比后,若发现异常,则该待测芯片具有缺陷。
2.根据权利要求1所述的一种芯片缺陷检测方法,其特征在于,选择平面直角坐标系四个象限角平分线上的2~4个芯片作为对比芯片。
3.根据权利要求2所述的一种芯片缺陷检测方法,其特征在于,选择平面直角坐标系四个象限角平分线上最靠近待检测芯片的2~4个芯片作为对比芯片。
4.根据权利要求3所述的一种芯片缺陷检测方法,其特征在于,所述待测芯片的数据图像和所述至少两个对比芯片的数据图像进行依次比对后,至少得到第一对比图像和第二对比图像;
当所述待测芯片的数据图像与所述两个对比芯片的数据图像不同,且所述第一对比图像与所述第二对比图像相同时,所述待测芯片具有缺陷。
5.根据权利要求4所述的一种芯片缺陷检测方法,其特征在于,所述待测芯片的缺陷位置为所述待测芯片的数据图像和所述对比芯片的数据图像中存在差异的位置。
6.根据权利要求5所述的一种芯片缺陷检测方法,其特征在于,通过设置有高灵敏度的光学检测设备对所述晶圆进行扫描,以获得晶圆上芯片的光学图像,并将所述光学图像进行转化后形成所述数据图像。
7.根据权利要求6所述的一种芯片缺陷检测方法,其特征在于,所述数据图像通过不同亮暗灰阶表示。
8.根据权利要求1~7任意一项所述的一种芯片缺陷检测方法,其特征在于,选择平面直角坐标系四个象限角平分线上最靠近待检测芯片的任意2个芯片作为对比芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造