[发明专利]半导体封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装体，包括：

一第一半导体结构，具有一第一表面和从该第一表面凹陷的多个第一凹部；以及

一第二半导体结构，具有一第二表面和从该第二表面凹陷的多个第二凹部，其中该第一半导体结构和该第二半导体结构彼此接合，该第一表面与该第二表面接触，每一个所述第一凹部与所述第二凹部的其中之一彼此重叠并结合以形成密封于该半导体封装体中的一气隙。

2.如权利要求1所述的半导体封装体，其中该第一半导体结构包括多个第一导电结构，其具有与该第一表面实质上共平面的表面，该第二半导体结构包括多个第二导电结构，其具有与该第二表面实质上共平面的表面，且所述第一导电结构分别与所述第二导电结构接触。

3.如权利要求2所述的半导体封装体，其中所述气隙的其中之一位于相邻的所述第一导电结构之间，且位于相邻的所述第二导电结构之间。

4.如权利要求1所述的半导体封装体，其中所述第一凹部在形状和尺寸上与所述第二凹部实质上相同。

5.如权利要求1所述的半导体封装体，其中该第一表面为一第一绝缘结构的一表面，所述第一凹部凹陷至该第一绝缘结构之中，该第二表面为一第二绝缘结构的一表面，且所述第二凹部凹陷至该第二绝缘结构之中。

6.如权利要求5所述的半导体封装体，其中该第一半导体结构包括多个第一钝化层共形地覆盖所述第一凹部的表面，且该第二半导体结构包括多个第二钝化层共形地覆盖所述第二凹部的表面。

7.如权利要求6所述的半导体封装体，其中所述气隙分别被所述第一钝化层的其中之一和所述第二钝化层的其中之一包围。

8.一种半导体封装体，包括：

一第一半导体结构，具有一第一接合表面；以及

一第二半导体结构，具有一第二接合表面，其与该第一半导体结构接合，其中该第一接合表面与该第二接合表面部分地接触，该第一接合表面的一部分与该第二接合表面的一部分隔离，该第一接合表面和该第二接合表面的所述部分之间的一空间被密封并形成一气隙于该半导体封装体中。

9.如权利要求8所述的半导体封装体，其中该第一接合表面具有一第一凹陷部分，该第二接合表面具有一第二凹陷部分，该第一凹陷部分和该第二凹陷部分结合以形成该气隙。

10.如权利要求9所述的半导体封装体，其中该第一凹陷部分与该第二凹陷部分在形状和尺寸上与彼此实质上相同。

11.一种半导体封装体的制造方法，包括：

提供具有一集成电路的一基板；

形成具有接合结构和支撑结构的一第一绝缘层堆叠于该集成电路上；

形成一掩膜图案于该第一绝缘层堆叠上；

移除一部分的该第一绝缘层堆叠以形成多个第一凹部于该第一绝缘层堆叠的一顶部区域中；

形成一钝化层共形地覆盖所述第一凹部和该第一绝缘层堆叠的一顶表面；

移除该钝化层位于该第一绝缘层堆叠的该顶表面上方的部分，以形成一第一半导体结构；

提供具有一第二绝缘层堆叠的一第二半导体结构，其中该第二绝缘层堆叠具有多个第二凹部；以及

接合该第一半导体结构与该第二半导体结构，所述第一凹部和所述第二凹部形成多个气隙。

12.如权利要求11所述的半导体封装体的制造方法，其中所述第一凹部和所述第二凹部彼此重叠并结合以形成密封于该半导体封装体中的所述气隙。

13.如权利要求12所述的半导体封装体的制造方法，其中该第一半导体结构包括多个第一导电结构，其具有与该第一绝缘层堆叠的该顶表面实质上共平面的表面，该第二半导体结构包括多个第二导电结构，其具有与该第二绝缘层堆叠的一顶表面实质上共平面的表面，且所述第一导电结构与所述第二导电结构接触以形成用以传递信号的一导线。