[发明专利]半导体装置与其制作方法

权利要求书

1.一种制作一半导体装置的方法，其特征在于，包含：

通过移除一牺牲栅极电极形成一栅极空间；

形成一栅极介电层于该栅极空间中；

形成多个导电层于该栅极介电层上以完全填充该栅极空间；

凹陷该栅极介电层及所述多个导电层以形成一凹陷的栅极电极；以及

形成一接触金属层于该凹陷的栅极电极上，

其中该凹陷的栅极电极并不包含一钨层，并且

该接触金属层包含钨。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该接触金属层覆盖该栅极介电层的一顶部。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该接触金属层的一上表面具有朝向该凹陷的栅极电极的一凸出形状。

4.一种制作一半导体装置的方法，其特征在于，包含：

形成自置于一基板之上的一隔离绝缘层突出的一鳍式结构；

形成一牺牲栅极介电层于该鳍式结构之上；

形成一牺牲栅极电极层于该牺牲栅极介电层之上；

形成多个栅极侧壁间隔物；

形成一或多个介电层；

通过移除该牺牲栅极电极层及该牺牲栅极介电层来形成一栅极空间；

在形成该栅极空间之后，凹陷所述多个栅极侧壁间隔物；

形成一栅极介电层于该栅极空间中；

形成多个导电层于该栅极介电层上以完全填充该栅极空间；

凹陷该栅极介电层及所述多个导电层以形成一凹陷的栅极电极；以及

形成一接触金属层于该凹陷的栅极电极上。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，该一或多个介电层包含在所述多个栅极侧壁间隔物的多个侧面上共形地形成的一蚀刻终止层，及在该蚀刻终止层上形成的一层间介电层。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，该层间介电层包含一氧化硅层及一氮化硅层，该氧化硅层及该氮化硅层均接触该蚀刻终止层。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，还包含：

形成一栅极顶盖绝缘层于该接触金属层之上；

形成一或多个介电层于该栅极顶盖绝缘层之上；以及

形成接触该接触金属层的一栅极触点。

8.一种半导体装置，其特征在于，包含：

一鳍式结构，自置于一基板之上的一隔离绝缘层突出并且具有一通道区域；

一源极/漏极磊晶层；

一栅极介电层，置于该通道区域上；以及

一栅极电极层，置于该栅极介电层上，其中：

该栅极电极层包含一下部分及一上部分，并且

该下部分包含多个导电层，所述多个导电层中的至少一者具有U形截面，并且所述多个导电层中的至少一者并不具有U形截面。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，其中：

该栅极介电层在一截面上具有一U形，并且

该栅极电极层的该上部分覆盖该栅极介电层的该U形的一垂直部分的一顶部。

10.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，其中：

该栅极电极层的该上部分的一上表面具有朝向该下部分的一凸出形状，并且

该凸出形状具有一角度介于30度至60度的一斜率。