[发明专利]基于1,8-取代咔唑的高辐射速率铂配合物及应用

说明书

本发明提供了一种基于1,8‑取代咔唑的高辐射速率铂配合物及应用。本发明的发光材料通过在咔唑的1,8‑位引入取代基，可高效调控材料分子激发态性质，增加金属到配体电荷转移态(MLCT)成分，提高分子的系间窜越速率；同时咔唑的1,8‑位引入取代基可增加其和吡啶环之间的二面角增加，可提高分子刚性，有效减少由于分子中咔唑环振动和转动所消耗的能量，减少非辐射衰减。上述因素可共同提高材料分子的辐射速率，缩短激发态寿命。

技术领域

本发明属于发光材料领域，尤其涉及一种基于1,8-取代咔唑的高辐射速率铂配合物及应用。

背景技术

自美国柯达公司的邓青云博士(C.W.Tang)和VanSlyke于1987年成功制备出第一个高效有机电致发光器件(OLED)以来，历经三十多年的研究，OLED已经发展成为新一代的全彩显示和固态照明技术。OLED是自发光体系，具有制作成本和能耗低、发光效率高、视角广、响应快、等优点，在全彩显示和照明领域具有广阔的应用前景。

发光材料是OLED器件的核心材料，但是稳定高效能够满足商业化应用的发光材料依然及其稀少，尤其是量子效率高的磷光和延迟荧光材料。因此，新型高性能发光材料的设计发展依然是促进OLED领域发展的重要方向。此外，OLED器件的稳定性依然是制约其发展的瓶颈问题，而发光材料的辐射速率(k_r^obs)是影响OLED器件的稳定性的重要因素。提高发光材料分子的辐射速率可以使分子高效辐射发光；同时缩短分子处于激发态的时间，减小分子激发态寿命τ^obs，减少或避免发生三线态-三线态激子湮灭而产生高能量的单线态激子；此外，减少激发态分子非辐射弛豫产生的热能，提高材料分子和OLED器件的稳定性。因此，设计发展具有高辐射速率k_r^obs和短激发态寿命τ^obs的发光材料对于提高材料分子和OLED器件的稳定性具有重要意义。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种基于1,8-取代咔唑的高辐射速率铂配合物及应用。本发明发光材料基于苯基咔唑分子母核且含有1,8-取代咔唑的四齿环金属铂(II)配合物，具有高辐射速率k_r^obs和短激发态寿命τ^obs。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：一种基于1,8-取代咔唑的高辐射速率铂配合物发光材料，是含有1,8-双取代咔唑的四齿环金属铂(II)配合物，化学式如通式(1)所示：

其中，L为五元或六元杂芳环。

R^a和R^b均不为氢原子且各自独立地代表烷基、烷氧基、环烷基、杂环基、烯基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的杂芳基、卤素、羟基、巯基、硝基、氰基、氨基、羧基、磺基、肼基、脲基、炔氧基、酯基、酰胺基、磺酰基、亚磺酰基、磺酰基胺基、磷酰基胺基、烷氧基羰基胺基、芳氧基羰基胺基、甲硅烷基、烷基胺基、双烷基胺基、单芳基胺基、双芳基胺基、亚脲基、亚胺基或其组合。

R¹、R²、R³、R⁴、R⁵和R⁶各自独立地代表氢、氘、烷基、烷氧基、环烷基、杂环基、烯基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的杂芳基、卤素、羟基、巯基、硝基、氰基、氨基、羧基、磺基、肼基、脲基、炔氧基、酯基、酰胺基、磺酰基、亚磺酰基、磺酰基胺基、磷酰基胺基、烷氧基羰基胺基、芳氧基羰基胺基、甲硅烷基、烷基胺基、双烷基胺基、单芳基胺基、双芳基胺基、亚脲基、亚胺基或其组合。

R¹、R²、R³、R⁴、R⁵和R⁶中的两个或者多个可以相连形成稠环，所述稠环还可以与其它环稠合。