[发明专利]一种基于CsPbI3材料的发光二极管在审
| 申请号： | 202110436574.3 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113285042A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 张正国;刘海;柯义虎 | 申请（专利权）人： | 北方民族大学 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56;H01L51/54 |
| 代理公司： | 北京欣鼎专利代理事务所(普通合伙) 11834 | 代理人： | 卢萍 |
| 地址： | 750021 宁夏回族*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 cspbi3 材料 发光二极管 | ||
1.一种基于CsPbI3材料的发光二极管，其特征在于：包括如下步骤，
(1)将透明导电玻璃基片进行标准化清洗后烘干，准备透明导电玻璃作为阳极基底；
(2)制备钙钛矿前驱体溶液，将PEABr、NPABr2、CsBr和PbBr2溶于有机溶液；采用旋涂法进行涂覆，导电玻璃加热并保持在所需热度，将钙钛矿前驱体溶液加热后旋涂衬底表面上，然后滴入氯苯并旋涂，得到第一钙钛矿层，并退火处理，在第一钙钛矿层的顶部，将钛矿溶液加热后旋涂衬底表面上，滴入氯苯并旋涂(和制备第一钙钛矿层方法相同)，得到第二钙钛矿层，形成双层钙钛矿薄膜，最后退火处理得到钙钛矿发光层；
(3)将导电玻璃转移至真空腔，在钙钛矿薄膜的表面依次热蒸镀形成电子传输层(POT2T)、电子注入层(Liq)和金属阴极电极(Al)。
2.根据权利要求1所述的一种基于CsPbI3材料的发光二极管，其特征在于，所述透明导电玻璃基片，为ITO透明导电玻璃或柔性透明电极。
3.根据权利要求1所述的一种基于CsPbI3材料的发光二极管，其特征在于，所述步骤2中钙钛矿前驱体溶液中PbBr2的摩尔浓度为0.08mM/mL，其中，m＝0.8，c＝0.4，n＝1，溶剂为DMSO。
4.根据权利要求1所述的一种基于CsPbI3材料的发光二极管，其特征在于，所述步骤2中制备钙钛矿层，采用旋涂法，旋涂转速为2000-6000rpm，将导电玻璃加热后保持在120℃；将钙钛矿溶液加热至70℃；旋涂时间为30s；第一次退火在100℃下退火2分钟；第二次退火在热板上加热退火2分钟。
5.根据权利要求1所述的一种基于CsPbI3材料的发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的厚度为25-50nm；电子传输层的材质为POT2T(2,4,6-三[3-(二苯基膦氧基)苯基]-1,3,5-三唑)、TPBi(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)和TmPyPB(4,6-双(3,5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶)中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的一种基于CsPbI3材料的发光二极管，其特征在于，所述电子注入层的厚度为2.5-3nm；电子注入层的材质为Liq(8-羟基喹啉-锂)或LiF(氟化锂)。
7.根据权利要求1所述的一种基于CsPbI3材料的发光二极管，其特征在于，所述金属阴极电极的厚度为80-250；金属阴极电极的材质为Al、Ag的一种。
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