[发明专利]一种异质结材料及其应用

权利要求书

1.一种光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：

将硒化钼前驱体溶液旋涂至衬底上，用激光器照射所述衬底上的前驱体溶液得到硒化钼薄膜；

在硒化钼薄膜表面电子束蒸发第一钝化层，并光刻出硫化铅区域，利用磁控溅射淀积硫化铅薄膜，得到硒化钼-硫化铅异质结，该异质结包括依次层叠设置的硒化钼薄膜、第一钝化层和硫化铅薄膜；其中，第一钝化层材料的功函数和能带位置与硒化钼薄膜和硫化铅薄膜材料匹配，降低界面缺陷态密度；

光刻出第二钝化层区域，电子束蒸发第二钝化层的材料，光刻出电极图案，电子束蒸发金属电极，得到异质结光电探测器；所述光电探测器包括：所述衬底、所述异质结、所述第二钝化层和所述电极；其中，所述异质结中的硒化钼薄膜层叠在所述衬底上表面；所述第二钝化层在硫化铅薄膜上表面；分别在所述第一钝化层上表面和所述第二钝化层上表面设置有所述金属电极；

所述第一钝化层的材料为Al₂O₃。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硒化钼薄膜的长度范围为1cm～3cm、宽度范围为5mm～20mm、薄膜厚度范围为5nm～15nm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硫化铅薄膜的厚度范围为50nm～300nm，所述异质结的长度范围为5mm～30mm、宽度范围为1mm～10mm，所述第一钝化层的厚度为3nm～5nm。

4.一种光电探测器，其特征在于，采用如权利要求1至3任一项所述的一种光电探测器的制备方法制备得到。