[发明专利]基于单个敏感器件的可见光与近红外成像的视觉传感器有效

专利信息
申请号: 202110437764.7 申请日: 2021-04-22
公开(公告)号: CN113179379B 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 乔铁柱;杨思杨 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: H04N25/71 分类号: H04N25/71;H04N25/76;H04N23/20;H04N23/55
代理公司: 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 代理人: 冷锦超;邓东东
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 基于 单个 敏感 器件 可见光 红外 成像 视觉 传感器
【权利要求书】:

1.基于单个敏感器件的可见光与近红外成像的视觉传感器,其特征在于,包括光源、镜头、封装外壳、敏感器件、图像处理模块、图像存储模块、通信模块以及电源模块,所述敏感器件为包括控制逻辑模块、硅基光电二极管阵列、单晶锗晶体光电二极管阵列、以及模数转换器组合而成的电路,所述硅基光电二极管阵列与单晶锗晶体光电二极管阵列并列设置后与模数转换器连接,用于将可见光与近红外光转换为二进制的数字信号输出;

所述硅基光电二极管与单晶锗晶体光电二极管并联后与MOS管相连接,MOS管的输出接入积分电路模块,所述MOS管与移位寄存器相连,所述移位寄存器通过时钟脉冲clk和起始脉冲s控制工作,从而控制MOS管的导通;

由时钟脉冲clk和起始脉冲s控制数字移位寄存器产生采样脉冲扫描信号,数字移位寄存器再与若干个MOS管相连,控制MOS管导通或是闭合,单个MOS管对应一对并联的硅基光电二极管与单晶锗晶体光电二极管,在经过可见光与近红外光照射时,并联的硅基光电二极管与单晶锗晶体光电二极管会产生移动电荷,移动电荷经过积分电路会传输到数据总线上,形成可见光与近红外光单个像素的融合,由输出脉冲的顺序反映各像素的位置,完成对可见光与近红外图像的融合以及传感;输出脉冲的高低反映像素光强度的大小。

2.根据权利要求1所述的基于单个敏感器件的可见光与近红外成像的视觉传感器,其特征在于,所述封装外壳的顶部设有若干个散热凹槽,所述封装外壳的一侧设有光源与镜头,另一侧面设有通讯接口。

3.根据权利要求1所述的基于单个敏感器件的可见光与近红外成像的视觉传感器,其特征在于,所述光源采取的是LED光源,成环形围绕镜头设置。

4.根据权利要求1所述的基于单个敏感器件的可见光与近红外成像的视觉传感器,其特征在于,所述图像处理模块用于对经过敏感器件后的数字图像做图像增强处理,并去除噪声干扰。

5.根据权利要求1所述的基于单个敏感器件的可见光与近红外成像的视觉传感器,其特征在于,所述图像存储模块包括FLASH存储器和SDARM存储器模块,用于存储图像处理模块处理后的图像以及图像特征信息。

6.根据权利要求1所述的基于单个敏感器件的可见光与近红外成像的视觉传感器,其特征在于,所述通信模块包括RS485有线通信接口以及Zigbee无线通信接口,所述通信模块分别与镜头图像处理模块、图像存储模块连接。

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