[发明专利]一种电润湿显示器件制备方法

权利要求书

1.一种电润湿显示器件制备方法，其特征在于，所述方法制备的电润湿显示器件包括：下基板、第一电极、疏水绝缘层、像素墙、密封胶围栏、第二电极、上基板、非极性电解质液体、极性液体及微柱结构，所述制备方法至少包括以下步骤：

S1.选定下基板，在下基板的上表面上制备第一电极，收集用于制备疏水绝缘层的溶液，将溶液均匀地涂布在带有第一电极的下基板的上表面，并进行热固化处理，形成疏水绝缘层；

S2.利用反应离子刻蚀机对疏水绝缘层表面进行疏水功率改性，降低疏水绝缘层表面接触角，疏水绝缘层表面变为亲水性；

S3.利用光刻技术制备像素墙，将非极性液体均匀填充在由像素墙围成的像素格内，将极性液体覆盖在像素墙和非极性溶液的上方；

S4.利用反应离子刻蚀机对疏水绝缘层表面进行亲水功率改性，提高疏水绝缘层表面接触角，疏水绝缘层表面恢复疏水性，形成微结构，完成背板制作；

S5.选定上基板，在上基板的下表面上制备第二电极，在第二电极表面利用掩膜版制备若干个微柱结构，并在上基板的下表面添加密封胶围栏，最后将上基板沿密封胶围栏的方向与下基板对位压合，将微柱结构固定在像素格内，微柱结构另一端连接第一电极的表面，从而将非极性液体和极性液体封装。

2.根据权利要求1所述的电润湿显示器件制备方法，其特征在于，步骤S2所述利用反应离子刻蚀机对疏水绝缘层表面进行疏水功率改性时的功率范围为5W～20W。

3.根据权利要求2所述的电润湿显示器件制备方法，其特征在于，设疏水绝缘层表面接触角表示为θ，疏水绝缘层表面进行疏水功率改性后，疏水绝缘层表面接触角降低，疏水绝缘层表面接触角满足范围：

θ≤95°。

4.根据权利要求1所述的电润湿显示器件制备方法，其特征在于，步骤S3所述的利用光刻技术制备像素墙的过程包括：

S31.采集光刻胶材料，将光刻胶材料均匀地涂布在疏水绝缘层的表面；

S32.对已经涂布在疏水绝缘层表面的光刻胶材料进行前烘操作，去除光刻胶材料中的部分溶剂；

S33.进行曝光操作：设定图形，将图形转移到光刻胶材料图层，形成像素墙图案；

S34.进行中烘操作，进一步固化；

S35.进行显影操作：溶解并去除不需要的光刻胶材料，转移像素墙图案；

S36.进行后烘操作：蒸发溶剂固化光刻胶材料。

5.根据权利要求4所述的电润湿显示器件制备方法，其特征在于，步骤S3所述的利用光刻技术制备像素墙的过程在黄光环境下完成。

6.根据权利要求3所述的电润湿显示器件制备方法，其特征在于，步骤S4所述利用反应离子刻蚀机对疏水绝缘层表面进行亲水功率改性的功率大于100W。

7.根据权利要求6所述的电润湿显示器件制备方法，其特征在于，对疏水绝缘层表面进行亲水功率改性后，疏水绝缘层表面接触角提高，疏水绝缘层表面接触角满足范围为：

θ≥115°。

8.根据权利要求7所述的电润湿显示器件制备方法，其特征在于，步骤S5所述在第二电极表面利用掩膜版制备若干个微柱结构的过程为：

S51.采集光刻胶材料，将光刻胶材料均匀地涂布在第二电极的表面；

S52.前烘：对已经涂布在第二电极表面的光刻胶材料进行前烘操作，去除光刻胶材料中的部分溶剂；

S53.设定图形，将图形转移到光刻胶材料图层，基于掩膜版形成微柱结构图案；

S54.进行中烘操作，进一步固化；

S55.进行显影操作：溶解并去除不需要的光刻胶材料，转移微柱结构图案；

S56.进行后烘操作：蒸发溶剂以固化光刻胶材料，使光刻胶和微柱结构衬底表面粘结；所述微柱结构通过加压被处理为亲水状态或疏水状态；

S57.微柱结构表面微柱疏水绝缘层涂层制作：在微柱结构表面浸沾微柱疏水绝缘层；所述表面浸沾微柱疏水绝缘层的微柱结构通过电压改变其表面润湿状态。