[发明专利]一种纳米银焊膏低温大面积均匀烧结方法

权利要求书

1.一种纳米银焊膏低温大面积均匀烧结方法；其特征在于，该方法具体包括以下步骤：

步骤1.将大面积芯片和金属基板在无水乙醇中超声清洗1-2min，然后使用热风机，进行50-100℃干燥1-2min，去除金属基板表面粘附的油渍污垢并使基板和芯片表面的无水乙醇和水分充分挥发；

步骤2.在步骤1中清洁过的基板和芯片连接表面上印刷纳米银焊膏，厚度50-150μm，将印刷好焊膏的基板和芯片置于加热台上加热到110-130℃干燥20-40min，使焊膏中的低温溶剂和粘接剂充分分解挥发，干燥完成后取下基板和芯片快速冷却到室温；

步骤3.在步骤2中干燥后基板和芯片表面的纳米银焊膏上滴加有机溶剂，溶剂为松油醇或乙二醇的一种或两者混合物，滴加溶剂与印刷纳米银焊膏的质量比为1∶5-1∶2，滴加有机溶剂后轻微转动基板和芯片，使有机溶剂均匀铺展，然后将芯片和基板连接面贴合；

步骤4.将步骤3中润湿贴片的基板和芯片置于烧结炉中，加热到50-60℃预热10-20min，使焊膏中低温溶剂挥发，然后加压1-2MPa加热到110-130℃干燥20-40min，使焊膏中低温粘接剂挥发，然后加压2-5MPa升温到180-200℃烧结1-2h，烧结结束后随炉冷却至室温。

2.如权利要求1所述的方法；其特征在于，所述步骤1中的大面积芯片的面积为200-1000mm²，所述金属基板面积大于或等于芯片。

3.如权利要求1所述的方法；其特征在于，所述步骤2中的基板连接面表面电镀银，厚度5-20μm。

4.如权利要求1所述的方法；其特征在于，所述步骤4中的加热升温速率为2-5℃/min。