[发明专利]晶体生长组件、晶体生长装置和方法

权利要求书

1.一种晶体生长组件，用于设置在坩埚中，其特征在于，包括：

叶片调整环(100)，其包括外环体(110)和多个叶片件(120)；

所述外环体(110)用于沿所述坩埚的高度方向布置；

所述叶片件(120)沿所述坩埚的高度方向延伸，多个所述叶片件(120)均匀间隔地设置地所述外环体(110)的内壁上，且多个所述叶片件(120)远离所述外环体(110)的端部围合形成中心通道(101)；

至少一个翼型调整环(200)，所述翼型调整环(200)包括外撑环(210)和多个翼片(220)；所述翼片(220)的翼面正对所述外撑环(210)的环面，多个所述翼片(220)均匀间隔地设置地所述外撑环(210)的内壁上；

以及导流环(300)，所述导流环(300)包括外导环(310)和引流环(320)；所述引流环(320)的外壁密闭地设置在所述外导环(310)内壁上；

所述翼型调整环(200)叠设在所述叶片调整环(100)上方，所述导流环(300)叠设在所述翼型调整环(200)远离所述叶片调整环(100)的上方。

2.根据权利要求1所述的晶体生长组件，其特征在于：

沿所述外环体(110)的横截面的方向，多个所述叶片件(120)的延伸方向均指向所述外环体(110)的中心。

3.根据权利要求1所述的晶体生长组件，其特征在于：

所述叶片件(120)的高度均与所述外环体(110)的高度相同，且所述叶片件(120)的上端与所述外环体(110)的端面平齐。

4.根据权利要求1所述的晶体生长组件，其特征在于：

所述叶片件(120)具有倾斜面(121)；

所述倾斜面(121)靠近所述坩埚底部的下端，且所述倾斜面(121)朝向所述外环体(110)的中心。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的晶体生长组件，其特征在于：

沿所述外撑环(210)宽度方向，所述翼片(220)从所述外撑环(210)的下端向所述外撑环(210)的中心倾斜，且多个翼片(220)远离所述外撑环(210)的端部围合形成汇中通道(201)。

6.根据权利要求5所述的晶体生长组件，其特征在于：

所述翼型调整环(200)还包括筋板(230)；

所述筋板(230)沿所述外撑环(210)的高度方向延伸；所述筋板(230)的一端与翼片(220)连接，所述翼片(220)的另一端与所述外撑环(210)的内壁连接。

7.根据权利要求5所述的晶体生长组件，其特征在于：

所述翼面为与所述外撑环(210)相适应的弧形面。

8.根据权利要求5所述的晶体生长组件，其特征在于：

沿所述外导环(310)宽度方向，所述引流环(320)从所述外导环(310)的下端向所述外导环(310)的中心倾斜，且所述引流环(320)的内环形成导流通道(301)。

9.一种晶体生长装置(20)，其特征在于，包括：

坩埚体(21)、石墨盖(22)和权利要求8所述的晶体生长组件；

沿所述坩埚体(21)的高度方向，一个所述导流环(300)、两个所述翼型调整环(200)和一个所述叶片调整环(100)依次叠设在所述坩埚体(21)的内壁中；

所述叶片调整环(100)抵持在所述坩埚体(21)的底壁上，所述导流环(300)抵持在所述石墨盖(22)的下部。

10.一种晶体生长方法，其特征在于：

所述晶体生长方法基于权利要求9所述的晶体生长装置(20)，所述晶体生长方法包括如下步骤：

将所述叶片调整环(100)放置在所述坩埚的底部，再装填原料且使得原料高度低于所述外环体(110)高度；

将原料和叶片调整环(100)一起烧结，烧结后清理并记录原料表面；

再依次装入两个所述翼型调整环(200)和一个所述导流环(300)；

再装入粘有籽晶的石墨盖(22)；

然后将整个晶体生长装置(20)装入长晶炉生长。