[发明专利]一种应用于半导体、光伏管式设备闭管软着陆的方法

说明书

本发明公开了一种应用于半导体、光伏管式设备闭管软着陆的方法将晶舟和晶片送人工艺管内，晶舟被移送到工艺管水平的工作区域后，利用桨的升降功能让桨下降到一定高度，将晶舟和晶片放入工艺管内由晶舟舟腿支撑到工艺管底部圆弧处，此时桨继续下降一个小距离，桨与晶舟的支撑面脱离开，此时为桨的低位(同样不与工艺管底部接触)属于空桨悬空状态，此时，桨水平移动，退出工艺管，关闭炉门，此时只有晶舟和晶片在工艺管中接受整个工艺温度和气体流动或者真空等工艺环节，此时桨不在工艺管内部承托晶舟和晶片一同参与晶片的工艺过程，也就没有了原有状态的桨这个物件干扰晶片工艺过程。

技术领域

本发明涉及半导体和光伏领域，特别是一种应用于半导体、光伏管式设备闭管软着陆的方法。

背景技术

传统的工艺方式为悬臂桨支撑方式，送料移动系统，驱动桨移动，桨上左侧固结炉门，在桨上的炉门右侧放置承载晶片的晶舟，驱动送料机构将桨上的晶舟和晶片水平送入工艺管的工作区域，此时固结在桨上的炉门与工艺管的管口进行接触实现密封，此时由桨承托着晶舟和插装与晶舟上的晶片共同一起在工艺管内部进行工艺过程，此时工艺管外部的加热器进行加热，让工艺管内部的晶舟晶片和承载的桨同时进行高温和气体环绕等的工艺过程，工艺结束后，炉膛降温和停止通气等工艺条件，送料机构做退回运动，随着桨的退出动作则移开炉门(炉门在桨上固结)，晶舟和晶片移出工艺管，取下晶舟和晶片更换新的晶舟和晶片，重复上述过程进行下一个工艺过程。该工艺过程由于桨必须与晶舟和晶片同时经过工艺过程，出现四个主要的缺点无法避免，其一，由于桨参与工艺，在工艺温度稍高时，桨本体的杂质会析出，扩散到工艺管内影响晶片工艺质量，故此桨的材质必须要求纯度非常高，1050℃以上的工艺一般为SIC材质，常规做法是由于SIC桨很难做到纯度高(无法实现高纯度的生产)则在普通SIC桨外表面进行SIC镀膜，SIC镀膜是薄层可以实现高纯度生产，镀膜虽然也很贵但是由于薄，其价格还不是天价，所以只能承受高价，表面镀膜作用是将桨本身的主材的杂质由外表面的SIC高纯度镀膜全包裹，内部杂质无法散出，故此对于半导体工艺过程中对晶片的工艺不产生影响；只是我们国内还不能做这样的镀膜纯度，故此国内的桨和镀膜不能应用于此类工艺过程中，国内产品无法应用，必须购买进口桨，这样就造成了价格居高不下，而且货期极长，现在都需要12-18个月的货期，直接影响产线应用；其二，这种方式由于桨在晶舟的底部承托晶舟，而晶舟上的晶片是核心的工艺主体，则对于晶片的工艺结果看由于桨的承托影响晶片与工艺气体的均匀接触，即影响工艺管内部的气流方向和位置，造成晶片的工艺结果不理想。其三，这种方式由于桨在晶舟的底部承托晶舟，桨本身是一个大的热容体，对于炉膛的温度不能让晶片受热均匀，工艺前期升温过程中桨的体积大本身吸热多，对于与晶片接近桨的下方位置和远离桨的上方位置的温度不均匀，靠工艺时间加长来平衡温度均匀性，对于工艺时间短的工艺不能做到热平衡，则明显影响晶片的工艺质量，且降温过程中桨又开始散热，造成晶片的上下部位不能均匀降温，同样影响晶片的翘曲度和最终的工艺质量。其四，桨上固结的炉门与工艺管口的密封不好调整，容易漏气。本发明公开了一种半导体、光伏领域管式设备闭管软着陆方式，则彻底解决了所有问题，可以大幅度降低了桨的成本和实现国产化，提高了晶片工艺质量，简化了炉门密封调整等等。

发明内容

本发明的目的是为了解决上述问题，设计了一种应用于半导体、光伏管式设备闭管软着陆的方法。

实现上述目的本发明的技术方案为，一种应用于半导体、光伏管式设备闭管软着陆的方法，具体步骤如下：

S1、将晶片插入插入晶舟中；

S2、通过装料装置将晶片和晶舟放到桨的承托位置；

S3、打开炉门，启动送料机构，利用桨将晶片和晶舟送入工艺管工作区域；

S4、升降装置驱动送料机构向下移动，桨下移让晶舟腿与工艺管底部圆弧接触，晶舟由工艺管进行承托，桨继续下移一个小距离，晶舟与桨的承托面脱离开，桨保持低位状态；

S5、送料机构驱动桨进行低位水平移动，退出工艺管，回至装料的位置停下；