[发明专利]新晶体结构酞菁铟纳米线及其制备方法

权利要求书

1.一种酞菁铟纳米线，具有酞菁铟结构，其特征在于，所述酞菁铟纳米线的X-射线衍射谱在下列的2θ处具有一个或多个特征峰7.338、16.635、21.285、23.253、25.222、27.164、27.769、28.217；而相应的半峰宽分别为：0.240、0.234、0.228、0.392、0.236、0.164、0.306、0.408；峰高分别为：3212、1229、369、358、591、337、556、397；衍射强度分别为：100％、37.3％、10.9％、18.2％、18.1％、7.2％、22.1％、21.0％；所述X-射线衍射谱的测试条件为：Cu_Kα1，0.02°/step/1s；所述的酞菁铟纳米线平均直径在100nm以下。

2.一种制备如权利要求1所述的酞菁铟纳米线的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(a)放入酞菁铟源料至水平管式炉中的加热区域；

(b)在载气氛围下，以阶梯升温的方式加热，升温速率为1-8℃/min,加热酞菁铟源料至470-800℃；

(c)通过该载气，引导该升华的酞菁铟离开该加热区域，至生长区域；

(d)在生长区域，得到酞菁铟纳米线。

3.根据权利要求2所述的制备酞菁铟纳米线的方法，其特征在于，其中在加热区域和生长区域之间有一定的间隙；可以在间隙中设置隔温材料，并在隔温材料中设置通气孔。

4.根据权利要求3所述的制备酞菁铟纳米线的方法，其特征在于，载气在入口处的流量为0.2L/min-0.5/min，当在加热区域和生长区域的间隙中放置小石英管，则载气的流量为0.9L/min-15L/min。

5.根据权利要求2所述的制备酞菁铟纳米线的方法，其特征在于，升温速率为3、4或5℃/min。

6.根据权利要求2所述的制备酞菁铟纳米线的方法，其特征在于，加热酞菁铟源料至500℃或750℃。

7.如权利要求1-6所述的任意一种酞菁铟纳米线在染料、光探测器、气敏器件、光波导、光电子或光子纳米器件材料的应用。