[发明专利]重布线层结构及其制备方法、封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种重布线层结构，其特征在于，所述重布线层结构设置在相邻两个芯片之间，所述重布线层结构包括：

第一绝缘层；

贯穿所述第一绝缘层的多个第一连接件，用于实现相邻两个所述芯片之间的信号连接；

贯穿所述第一绝缘层且与所述多个第一连接件并排设置的多个第二连接件和多个第三连接件，所述第一连接件位于所述多个第二连接和所述多个第三连接件之间；

从所述第一绝缘层下表面延伸至所述第一绝缘层内部并与所述第二连接件侧面连接的多个第四连接件；

其中，所述第二连接件、所述第三连接件和所述第四连接件用于实现所述芯片与外部电源之间的电源连接。

2.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述重布线层结构还包括：

位于所述第一绝缘层上方的第二绝缘层；其中，所述第二绝缘层包括贯穿所述第二绝缘层以裸露出所述第一连接件、所述第二连接件和所述第三连接件的上表面的多个开口；

分别设置于两个所述第二连接件上方的所述开口内的第五连接件；

位于所述第五连接件上方的旁路电容；其中，所述旁路电容的两端通过所述五连接件分别与所述两个所述第二连接件连接。

3.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述第一绝缘层包括第一子绝缘层，以及与所述第一子绝缘层并排设置的第二子绝缘层和第三子绝缘层；

其中，所述第一连接件贯穿所述第一子绝缘层，所述第二连接件贯穿所述第二子绝缘层，所述第三连接件贯穿所述第三子绝缘层。

4.根据权利要求3所述的重布线层结构，其特征在于，

所述第一子绝缘层的材料包括硅绝缘材料；

所述第二子绝缘层和所述第三子绝缘层的材料包括有机材料。

5.一种重布线层结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供临时基板；

在所述临时基板上方形成第三绝缘层；

在所述第三绝缘层上方形成第一绝缘层；

形成贯穿所述第一绝缘层的多个第一连接件；

形成贯穿所述第一绝缘层且与所述多个第一连接件并排设置的多个第二连接件和多个第三连接件，所述第一连接件位于所述多个第二连接和所述多个第三连接件之间；

形成从所述第一绝缘层上表面延伸至所述第一绝缘层内部并与所述第二连接件侧面连接的多个第四连接件；

去除所述临时基板和所述第三绝缘层。

6.根据权利要求5所述的重布线层结构的制备方法，其特征在于，还包括：

在所述第一绝缘层相对于所述第四连接件的另一表面上形成第二绝缘层，并形成贯穿所述第二绝缘层以裸露出所述第一连接件、所述第二连接件和所述第三连接件靠近所述第二绝缘层的表面的多个开口；

在两个所述第二连接件表面的所述开口内设置第五连接件；

在所述第五连接件远离所述第二连接件的一端设置旁路电容；其中，所述旁路电容的两端通过所述第五连接件分别与所述两个所述第二连接件连接。

7.一种封装结构，其特征在于，包括：

如权利要求1至4任一项所述的重布线层结构或者利用如权利要求5或6所述的制备方法所制备的重布线层结构；

位于所述重布线层结构下方的第一芯片；其中，所述第一芯片通过第一微凸块与所述重布线层结构的第一连接件和第二连接件连接；

位于所述重布线层结构上方的第二芯片；其中，所述第二芯片通过第二微凸块与所述第一连接件和所述第三连接件连接。

8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，还包括：

填充于所述第一芯片与所述重布线层结构之间间隙且围绕于所述第一芯片的第一封装层；

贯穿所述第一封装层并分别与所述重布线层结构的所述第三连接件和第四连接件连接的第六连接件和第七连接件；

位于所述第一封装层下方的封装基板；其中，所述第六连接件和所述第七连接件分别通过第三微凸块和第四微凸块与所述封装基板连接。