[发明专利]谐振模式的操纵方法及操纵系统、电子设备和存储介质

权利要求书

1.一种谐振模式的操纵方法，其特征在于，用于操纵一维光子晶体纳米束腔的谐振模式；所述谐振模式的操纵方法包括：

根据所述一维光子晶体纳米束腔的当前谐振模式和目标谐振模式，确定模式偏移信息；

根据所述当前谐振模式、所述模式偏移信息和所述一维光子晶体纳米束腔的当前结构信息，确定所述一维光子晶体纳米束腔的光场局域区域的目标结构信息；所述光场局域区域的目标结构信息至少包括位于所述光场局域区域内的周期性孔的结构信息；

根据所述光场局域区域的目标结构信息，对所述光场局域区域进行调整，以将所述一维光子晶体纳米束腔的当前谐振模式调整至所述目标谐振模式。

2.根据权利要求1所述的谐振模式的操纵方法，其特征在于，所述模式偏移信息包括谐振波长的偏移方向和谐振波长的偏移量；

根据所述一维光子晶体纳米束腔的当前谐振模式和目标谐振模式，确定模式偏移信息，包括：

根据所述当前谐振模式的谐振波长和所述目标谐振模式的谐振波长，确定所述模式偏移信息中的所述谐振波长的偏移方向和所述谐振波长的偏移量。

3.根据权利要求2所述的谐振模式的操纵方法，其特征在于，所述根据所述当前谐振模式、所述模式偏移信息和所述一维光子晶体纳米束腔的当前结构信息，确定所述一维光子晶体纳米束腔的光场局域区域的目标结构信息，包括：

根据所述当前谐振模式、所述模式偏移信息和所述当前结构信息，确定所述光场局域区域的有效折射率变化信息；

根据所述当前谐振模式的光场局域位置、所述光场局域区域的有效折射率变化信息和所述当前结构信息，确定所述光场局域区域的目标结构信息。

4.根据权利要求3所述的谐振模式的操纵方法，其特征在于，所述一维光子晶体纳米束腔还包括两个带隙局域区域；所述光场局域区域位于两个所述带隙局域区域之间；

所述周期性孔包括多个形状相同、且尺寸相等的调整孔；相邻所述调整孔之间的间隔相等；

所述当前结构信息包括所述光场局域区域的当前有效折射率、以及目标孔的孔半径；所述目标孔为位于所述带隙局域区域内、且与一维光子晶体纳米束腔的中心距离最近的孔；所述目标孔的孔形状与多个所述调整孔的孔形状相同；

所述周期性孔的结构信息包括所述调整孔的孔半径、孔个数、孔周期和晶格常数、以及所述周期性孔的中心与一维光子晶体纳米束腔的中心之间的位移；

所述光场局域区域的有效折射率变化信息包括：有效折射率变化方向和有效折射率变化量；所述有效折射率变化方向为所述光场局域区域的有效折射率由大到小的方向，或所述光场局域区域的有效折射率由小到大的方向。

5.根据权利要求4所述的谐振模式的操纵方法，其特征在于，所述根据所述当前谐振模式、所述模式偏移信息和所述当前结构信息，确定所述光场局域区域的有效折射率变化信息，包括：

根据所述当前谐振模式的光场局域位置和所述谐振波长的偏移方向，确定所述有效折射率变化方向；

根据所述当前谐振模式的谐振波长、所述谐振波长的偏移量和所述当前结构信息，确定所述有效折射率变化量。

6.根据权利要求4所述的谐振模式的操纵方法，其特征在于，在确定所述当前谐振模式的光场局域位置为低折射率区域、且所述谐振波长的偏移方向为波长增大方向的情况下，确定所述有效折射率变化方向为所述光场局域区域的有效折射率由小到大的方向；

在确定所述当前谐振模式的光场局域位置为低折射率区域、且所述谐振波长的偏移方向为波长减小方向的情况下，确定所述有效折射率变化方向为所述光场局域区域的有效折射率由大到小的方向；

在确定所述当前谐振模式的光场局域位置为高折射率区域、且所述谐振波长的偏移方向为波长增大方向的情况下，确定所述有效折射率变化方向为所述光场局域区域的有效折射率由小到大的方向；

在确定所述当前谐振模式的光场局域位置为高折射率区域、且所述谐振波长的偏移方向为波长减小方向的情况下，确定所述有效折射率变化方向为所述光场局域区域的有效折射率由大到小的方向。