[发明专利]化合物半导体续流功率晶体管

权利要求书

1.化合物半导体续流功率晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

缓冲层，所述缓冲层设置于所述衬底上；

势垒层，所述势垒层设置于所述缓冲层上，所述势垒层上设置有源极、漏极和栅极，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述势垒层中设有用于形成电子陷阱的陷阱区，所述陷阱区位于所述源极和所述漏极之间，所述栅极不设置在所述陷阱区的正上方，所述功率晶体管为常开型；其中，所述栅极设置为环绕所述漏极的形状，所述栅极包括第一栅端和第二栅端，所述第一栅端和所述第二栅端之间形成狭槽区，所述陷阱区位于所述狭槽区中；根据所述功率晶体管预设的阈值电压对所述陷阱区进行设置，所述阈值电压具有负温度系数，所述负温度系数用于表示所述功率晶体管的工作温度和所述阈值电压呈负相关；

钝化层，所述钝化层设置在所述势垒层表面，根据所述势垒层的厚度设置所述钝化层的厚度。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体续流功率晶体管，其特征在于，所述钝化层的厚度小于5μm。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体续流功率晶体管，其特征在于，所述第一栅端和所述第二栅端均为扇形，所述扇形的圆心角大于90度，小于180度。

4.根据权利要求3所述的化合物半导体续流功率晶体管，其特征在于，所述第一栅端与所述第二栅端之间的最小距离小于0.5μm。

5.根据权利要求1所述的化合物半导体续流功率晶体管，其特征在于，所述陷阱区的态密度大于0.05μm^-2。