[发明专利]一种集成电路引气消泡式封装工艺有效
申请号: | 202110446466.4 | 申请日: | 2021-04-25 |
公开(公告)号: | CN113345811B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 刘杰夫 | 申请(专利权)人: | 芯创(天门)电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/16;H01L23/24;H01L23/26 |
代理公司: | 武汉中鸥知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42269 | 代理人: | 肖立芳 |
地址: | 431700 湖北省天门市侨乡街*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成电路 引气消泡式 封装 工艺 | ||
1.一种集成电路引气消泡式封装工艺,其特征在于:包括以下步骤:
S1、将集成电路印制至基板上,在基板上侧安装消泡网,消泡网包括多个均匀分布的消泡球,消泡球之间连接有引气绳(1);
S2、在基板周围安装注塑模具,然后向注塑模具的浇注口注入环氧树脂;
S3、在注塑模具上方施加移动的磁场,且磁场时断时续,吸引消泡球在环氧树脂内做不规则的运动,引气绳(1)在同步运动的同时将气体引至消泡球内;
S4、待环氧树脂固化形成塑封体后,取下注塑模具即可;
所述消泡球包括绝缘球体(2),所述绝缘球体(2)外表面上开设有多个均匀分布的消泡槽,所述消泡槽中间部位连接有临时封层(3)、温控囊环(4)和负压膜(6),所述临时封层(3)覆盖于负压膜(6)的外表面,所述温控囊环(4)覆盖于临时封层(3)的外表面,所述引气绳(1)贯穿临时封层(3)与负压膜(6)连接;
所述消泡槽底壁与负压膜(6)之间连接有多根交错分布的阻气纤维丝(5);
所述温控囊环(4)包括形变胶囊(41)、热膨胀杆(42)和磁吸点(43),所述磁吸点(43)镶嵌连接于形变胶囊(41)靠近引气绳(1)的一端,所述形变胶囊(41)和热膨胀杆(42)均连接于消泡槽侧壁上,且热膨胀杆(42)位于形变胶囊(41)内侧并向消泡槽开口处的方向延伸;
所述引气绳(1)包括弹力绳(11)、磁吸端(12)和多根尖刺(13),所述弹力绳(11)通过磁吸端(12)与临时封层(3)连接,所述尖刺(13)均匀镶嵌于磁吸端(12)外表面上;
通过在基板上侧安装消泡网的方式,并利用移动的磁场来吸引消泡网上的消泡球做无规则运动,对残存的气体进行挤压,利用引气绳(1)移速快于环氧树脂流动速度的特点,从而产生空隙区域引导气体通过引气绳(1)迁移至消泡球附近,然后消泡球基于负压原理对气体进行吸收,并且在环氧树脂的固化过程中,消泡球自主触发局部收缩动作,从而对吸收的气体进行包裹,避免气体逃逸至环氧树脂内形成气泡。
2.根据权利要求1所述的一种集成电路引气消泡式封装工艺,其特征在于:所述基板采用氧化铝基板、玻纤增强环氧树脂板或玻璃基板中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的一种集成电路引气消泡式封装工艺,其特征在于:所述临时封层(3)采用熔点低于环氧树脂的热熔性树脂材料制成,所述负压膜(6)采用防水透气膜制成。
4.根据权利要求1所述的一种集成电路引气消泡式封装工艺,其特征在于:所述形变胶囊(41)内采用柔性材料制成,且形变胶囊(41)内填充有水晶胶,所述热膨胀杆(42)采用受热膨胀材料制成。
5.根据权利要求1所述的一种集成电路引气消泡式封装工艺,其特征在于:所述步骤S2中注入环氧树脂之前先充填惰性气体来排出注塑模具内的空气,所述惰性气体为氮气。
6.根据权利要求1所述的一种集成电路引气消泡式封装工艺,其特征在于:所述步骤S2中环氧树脂的注塑温度为170-180℃,注塑压力为1-5Mpa。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造