[发明专利]金属硅化物层的形成方法有效
| 申请号： | 202110446856.1 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113205994B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 杨淋淋;吴坚;张贵军 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属硅 化物层 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属硅化物层的形成方法，其特征在于，所述方法依次包括：
提供一晶圆，所述晶圆上形成有半导体器件的栅极和栅氧；
通入含氟元素的反应气体对刻蚀设备的腔体内的附着物进行刻蚀清除，所述刻蚀清除过程中的功率为15瓦至50瓦；
在所述晶圆上沉积金属层，进行热处理，使所述金属层中的金属与所述栅极和所述晶圆衬底中的硅反应生成金属硅化物层；
进行刻蚀，去除所述金属层，保留所述金属硅化物层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属层包括镍。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述金属硅化物层包括镍化硅。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述含氟元素的反应气体包括氨气和三氟化氮。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述晶圆上沉积金属层，包括：
通过PVD工艺在所述晶圆上沉积所述金属层。
6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述半导体器件为逻辑器件。
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