[发明专利]通过改善111晶棒晶向偏离角改善硅片warp的方法

权利要求书

1.一种通过改善111晶棒晶向偏离角改善硅片warp的方法，其特征在于，保持拉制单晶硅晶棒所用的成品籽晶的111晶向的偏离度为1.5°±0.5°；

包括以下步骤：

a. 在掏籽晶用晶锭径向的[1-10]晶向上，滚磨加工第一参考面；

b. 将掏籽晶用晶锭固定，利用X射线定向仪，确定掏籽晶用晶锭的111晶向；

c. 将掏籽晶用晶锭的111晶向向距离其最近的右手边的棱线偏离1.5°±0.5°；

d. 完成掏籽晶工序，获得半成品籽晶；

e. 在半成品籽晶的[1-10]晶向上，标识半成品籽晶Notch位置；

f. 测量半成品籽晶的111晶向的偏离度，并判断偏离度是否满足要求；

g. 如偏离度满足要求，则对半成品籽晶进行加工，制备成品籽晶；

h. 利用所述成品籽晶，拉制单晶硅晶棒；

i. 在单晶硅晶棒上标识出籽晶的Notch位置；

j. 在单晶硅晶棒[1-10]晶向上，滚磨加工第二参考面；

k. 单晶硅晶棒分段，制备待切片晶锭，并在待切片晶锭尾部标识棱线位置和籽晶的Notch位置；

l. 待切片晶锭定向，接着，并采用多线切割方式进行切片；在对晶锭切片时，对晶锭进行-5°-5°的旋转、摆动1.3°-1.8°，即可使得晶锭的110晶向与切割面垂直，进而显著降低硅片的warp值；

步骤a中，首先在掏籽晶用晶锭的尾部标识出三条位于211晶向上的棱线，根据三条位于211晶向上的棱线，确定[1-10]晶向位置，滚磨加工第一参考面；

步骤c中，将掏籽晶用晶锭的111晶向向距离其最近的右手边的位于211晶向上的棱线偏离1.5°。

2.如权利要求1所述的通过改善111晶棒晶向偏离角改善硅片warp的方法，其特征在于，步骤g中，如偏离度不满足要求，则重复步骤a-f，重新制备半成品籽晶。

3.如权利要求1所述的通过改善111晶棒晶向偏离角改善硅片warp的方法，其特征在于，步骤g中，所述“对半成品籽晶进行加工”包括：

g1. 打磨倒角，加工半成品籽晶Notch位置；

g2. 对半成品籽晶进行清洗；

g3. 对半成品籽晶进行酸洗抛光；

g4. 对半成品籽晶进行尺寸检验。