[发明专利]太阳能电池、电池钝化层的制作方法和太阳能组件

说明书

本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池、电池钝化层的制作方法和太阳能组件。太阳能电池包括依次层叠设置的电池基片、氧化硅钝化膜、氮氧化硅钝化膜和氮化硅钝化膜，氧化硅钝化膜的厚度范围为11‑100nm；氮氧化硅钝化膜的厚度范围为20‑110nm；氮化硅钝化膜的厚度范围为60‑160nm。如此，使得太阳能电池的钝化效果较好，而且可以降低成本，并规避AlOx钝化层。

技术领域

本发明属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池、电池钝化层的制作方法和太阳能组件。

背景技术

相关技术中的钝化发射极背面接触电池(PERC)的背面钝化技术，主要是在P型硅基体上沉积一层AlOx钝化层，然后在AlOx层外沉积若干层SiNx层。AlOx钝化层不仅能够降低电池背面复合，而且能改善长波响应，提高电池效率。

然而，单晶PERC电池钝化的主要辅材是TMA及N₂O，且TMA价格昂贵，难以取代，导致成本较高。而且，现有的AlOx钝化层的钝化技术存在专利壁垒。

基于此，如何实现太阳能电池的钝化以降低成本并规避AlOx钝化层，成为了亟待解决的问题。

发明内容

本发明提供一种太阳能电池、电池钝化层的制作方法和太阳能组件，旨在解决如何实现太阳能电池的钝化以降低成本并规避AlOx钝化层的问题。

第一方面，本发明提供的太阳能电池包括依次层叠设置的：

电池基片；

氧化硅钝化膜，厚度范围为11-100nm；

氮氧化硅钝化膜，厚度范围为20-110nm；和

氮化硅钝化膜，厚度范围为60-160nm。

可选地，所述氧化硅钝化膜的折射率的范围为1.4-1.6，所述氮氧化硅钝化膜的折射率的范围为1.6-2.0，所述氮化硅钝化膜的折射率的范围为2.1-2.3。

可选地，所述氧化硅钝化膜包括多层氧化硅膜；和/或，

所述氮氧化硅钝化膜包括多层氮氧化硅膜；和/或，

所述氮化硅钝化膜包括多层氮化硅膜。

第二方面，本发明提供的电池钝化层的制作方法，包括：

在待沉积钝化膜的电池基片上沉积氧化硅钝化膜，所述氧化硅钝化膜的厚度范围为11-100nm；

在所述氧化硅钝化膜上沉积氮氧化硅钝化膜，所述氮氧化硅钝化膜的厚度范围为20-110nm；

在所述氮氧化硅钝化膜上沉积氮化硅钝化膜，所述氮化硅钝化膜的厚度范围为60-160nm。

可选地，所述在待沉积钝化膜的电池基片上沉积氧化硅钝化膜的步骤，包括：

在镀膜设备中通入SiH₄和N₂O，以形成所述氧化硅钝化膜；

所述在所述氧化硅钝化膜上沉积氮氧化硅钝化膜的步骤，包括：

在所述镀膜设备中通入SiH₄、NH₃和N₂O，以形成所述氮氧化硅钝化膜；

所述在所述氮氧化硅钝化膜上沉积氮化硅钝化膜的步骤，包括：

在所述镀膜设备中通入SiH₄和NH₃，以形成所述氮化硅钝化膜。