[发明专利]还原炉的炉筒冷却方法、装置及多晶硅还原生产方法在审

专利信息
申请号: 202110448198.X 申请日: 2021-04-25
公开(公告)号: CN113072074A 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 彭建涛;茅陆荣;许晟;陈宏伟;马宁 申请(专利权)人: 森松(江苏)重工有限公司
主分类号: C01B33/03 分类号: C01B33/03;C01B33/035;F27D1/12
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 226532 江苏省南通*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 还原 冷却 方法 装置 多晶 生产
【说明书】:

本申请提出一种还原炉的炉筒冷却方法、装置及多晶硅还原生产方法,其中,所述还原炉的炉筒冷却方法包括:使传热介质在所述还原炉的炉筒周围的导流通道内流动,吸收所述还原炉的炉筒辐射的热量,所述传热介质为气体。通过采用上述技术方案,可以使用气体作为传热介质对还原炉的炉筒进行冷却,同时对气体进行加热,被加热的气体容易被利用,从而降低还原炉的能耗,节约能源。

技术领域

本申请属于光伏材料领域,特别涉及一种多晶硅还原炉的炉筒冷却方法、装置及多晶硅还原生产方法。

背景技术

随着光伏行业的日益发展,多晶硅的需求日益旺盛,目前多晶硅还原炉使用量很大。而目前多晶硅还原炉的炉筒全部采用水进行冷却,在多晶硅还原炉使用过程中,大部分的热量由冷却水带走,但是,冷却水中的热量难以被充分利用,导致多晶硅还原炉的高耗能一直受到诟病,多晶硅制造业也一直寻找降低多晶硅还原炉能耗的方法。

发明内容

本申请旨在提出一种还原炉的炉筒冷却方法、装置及多晶硅还原生产方法,能够将炉筒接收的辐射热充分利用。

本申请提出一种还原炉的炉筒冷却方法所述还原炉的炉筒冷却方法包括:

使传热介质在所述还原炉的炉筒周围的导流通道内流动,吸收所述还原炉的炉筒辐射的热量,所述传热介质为气体。

优选地,所述传热介质自上向下流动。

优选地,所述传热介质自中心向四周流动。

优选地,所述传热介质绕着所述还原炉的轴线螺旋地流动。

优选地,所述传热介质为所述还原炉的炉筒的内部反应所使用的原料气体,所述原料气体吸收热量被加热后通入所述还原炉的炉筒内部反应。

优选地,所述原料气体为三氯氢硅和氢气的混合物。

优选地,所述传热介质为惰性气体。

优选地,所述传热介质的初始温度为40至60摄氏度。

优选地,所述传热介质在所述导流通道的各段的流动速度相同。

优选地,所述还原炉的炉筒冷却方法是生产多晶硅的多晶硅还原炉的炉筒冷却方法。

本申请还提出一种还原炉的炉筒冷却装置,所述还原炉的炉筒冷却装置包括:

底盘,所述底盘设置有进气口和排气口;

夹套,所述夹套包围所述还原炉的炉筒,在所述夹套和所述炉筒之间形成冷却空间,所述还原炉的炉筒与所述底盘连接;

进口,所述进口设置于所述夹套,用于向所述冷却空间通入传热介质;以及

出口,所述出口设置于所述夹套,用于将吸收了热量的传热介质排出所述冷却空间,

所述进口位于所述出口的上方,所述传热介质为气体,所述传热介质在所述冷却空间自上向下流动。

优选地,所述出口连通到所述底盘的所述进气口。

优选地,所述冷却空间设置有导流板,所述导流板在所述冷却空间内形成螺旋状的导流通道,使所述传热介质能够沿所述导流通道螺旋流动。

本申请又提出一种多晶硅还原生产方法,所述多晶硅还原生产方法包括:三氯氢硅和氢气通过静态混合器混合,形成原料混合气,直接将所述原料混合气从还原炉的进口通入所述炉筒周围的导流通道,在吸收热量被加热后通入所述还原炉的炉筒内部进行反应。

通过采用上述技术方案,可以使用气体作为传热介质对还原炉的炉筒进行冷却,同时对气体进行加热,被加热的气体容易被利用,从而降低还原炉的能耗,节约能源。

附图说明

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