[发明专利]半导体器件以及用于形成半导体器件的方法

说明书

一种半导体器件。半导体器件包含位于第一介电层上方的波导。波导的第一部分具有第一宽度，且波导的第二部分具有大于第一宽度的第二宽度。半导体器件包含第一掺杂半导体结构和第二掺杂半导体结构。波导的第二部分位于第一掺杂半导体结构与第二掺杂半导体结构之间。

技术领域

在本发明的实施例中阐述的技术大体来说涉及半导体器件，且更具体来说，涉及半导体器件以及用于形成半导体器件的方法。

背景技术

半导体器件用于大量电子器件中，所述电子器件例如移动电话、膝上型计算机、台式计算机、平板计算机、手表、游戏系统以及各种其它工业、商业以及消费电子产品。半导体器件通常包括半导体部分和形成于半导体部分内部的布线部分。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体器件，包括：波导，位于第一介电层上方，其中：所述波导的第一部分具有第一宽度；以及所述波导的第二部分具有大于所述第一宽度的第二宽度；第一掺杂半导体结构；以及第二掺杂半导体结构，其中所述波导的所述第二部分位于所述第一掺杂半导体结构与所述第二掺杂半导体结构之间。

本发明实施例提供一种用于形成半导体器件的方法，包括：在第一介电层上方形成半导体层；使所述半导体层图案化以形成包括波导的图案化半导体层，其中所述波导包括：第一部分，具有第一宽度；以及第二部分，具有大于所述第一宽度的第二宽度，其中所述波导的所述第二部分位于所述图案化半导体层的第一部分与所述图案化半导体层的第二部分之间；掺杂所述图案化半导体层的所述第一部分以形成与所述波导的所述第二部分相邻的n掺杂半导体结构；以及掺杂所述图案化半导体层的所述第二部分以形成与所述波导的所述第二部分相邻的p掺杂半导体结构。

本发明实施例提供一种半导体器件，包括：波导，位于第一介电层上方，其中：所述波导的第一部分具有第一宽度；所述波导的第二部分具有大于所述第一宽度的第二宽度；所述波导的第三部分从所述波导的所述第一部分延伸到所述波导的所述第二部分；所述波导的所述第三部分具有从所述波导的所述第三部分的第一侧延伸到所述波导的所述第三部分的第二侧的第一锥形侧壁；以及所述波导的所述第三部分的所述第一侧与所述波导的所述第一部分相邻，且所述波导的所述第三部分的所述第二侧与所述波导的所述第二部分相邻；n掺杂半导体结构；以及p掺杂半导体结构，其中所述波导的所述第二部分位于所述n掺杂半导体结构与所述p掺杂半导体结构之间。

附图说明

当结合随附图式阅读时从以下详细描述最好地理解本公开的各方面。应注意，根据业界的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A到图1B示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图2A到图2B示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图3A到图3B示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图4A到图4B示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图5A到图5B示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图6A到图6B示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图7A到图7B示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图8A到图8B示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图9A到图9B示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图10A到图10B示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图11A到图11B示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。

图12A到图12B示出根据一些实施例的处于制造阶段的半导体器件。