[发明专利]一种电力电子器件芯片生产用晶圆减薄辅助机

说明书

本发明公开了一种电力电子器件芯片生产用晶圆减薄辅助机，属于电子器件生产技术领域，其包括壳体，所述壳体内壁的正面和背面与面板的正面和背面固定连接，所述面板内壁的上表面与定位架的上表面固定连接。该电力电子器件芯片生产用晶圆减薄辅助机，通过设置入料板、环形刀片、气孔、罩体和气密盒，在活动板向上移动时通过带动环形刀片配合定位架将贴膜切割出固定大小的圆形并保持与晶圆贴合，这种方式能够在贴膜过程中保持晶圆的中心位置接触，能够极大的防止贴膜过程产生气泡，同时配合滑筒与滑件在气压的作用下保持向上的压紧力，对橡胶半环压持，配合采用真空吸附的方式能够保障贴膜过程中无干扰，大大保障贴膜的质量。

技术领域

本发明属于电力电子器件生产技术领域，具体为一种电力电子器件芯片生产用晶圆减薄辅助机。

背景技术

芯片是由N多个半导体器件组成，在圆井中使用技术手段，改变原子核的自由电子浓度，改变原子多子或少子是原子核产生正电荷或负电荷的物理特性，构成各种半导体，硅、锗是常用的半导体材料，他们的特性及材质是容易大量并且成本低廉使用于上述技术的材料。一个硅片中就是大量的半导体器件组成，当然功能就是按需要将半导体组成电路而存在于硅片内，封装后就是IC了，晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其中现在从集成电路断面结构来看，大部分集成电路是在硅基体材料的浅表面层上制造。由于制造工艺的要求，对晶片的尺寸精度、几何精度、表面洁净度以及表面微晶格结构提出很高要求。因此在几百道工艺流程中，不可采用较薄的晶片，只能采用一定厚度的晶片在工艺过程中传递、流片。通常在集成电路封装前，需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度。这一工艺过程称之为晶片背面减薄工艺，对应装备就是晶片减薄机，在减薄的过程中，晶圆需要对其表面进行贴膜，目前贴膜过程中产生的气泡较难处理，且对贴膜的边缘位置往往压紧度交底，使其旋转时容易出现错位。

发明内容

(一)解决的技术问题

为了克服现有技术的上述缺陷，本发明提供了一种电力电子器件芯片生产用晶圆减薄辅助机，解决了目前贴膜过程中产生的气泡较难处理，且对贴膜的边缘位置往往压紧度交底，使其旋转时容易出现错位的问题。

(二)技术方案

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种电力电子器件芯片生产用晶圆减薄辅助机，包括壳体，所述壳体内壁的正面和背面与面板的正面和背面固定连接，所述面板内壁的上表面与定位架的上表面固定连接，所述定位架的下表面与入料板的上表面搭接，所述面板的上表面与罩体的下表面固定连接，所述罩体的上表面与导管的顶端相连通，所述导管的表面卡接在壳体内壁的正面，所述导管的底端与气泵的入气口相连通，所述气泵的出气口与气密盒内壁的右侧面相连通，所述气密盒的下表面与固定架的上表面固定连接，所述固定架的下表面与壳体内壁的下表面固定连接，所述气密盒内壁的正面与调节半环的背面固定连接，所述调节半环的内壁与调节凸轮的表面搭接，所述调节半环的右侧面与气泵的出风口相连通。

所述气密盒内壁的上表面通过软管与活动板的上表面相连通，所述活动板的下表面与滑筒的上表面固定连接，所述滑筒的表面与套筒的内壁搭接，所述套筒的下表面与固定架的上表面固定连接，所述活动板的上表面与橡胶半环的下表面固定连接，所述气密盒的正面卡接有压强管，所述压强管的表面卡接在壳体的正面，所述压强管的内壁与活塞的表面搭接，所述活塞的上表面与滑杆的底端固定连接，所述滑杆的表面滑动在限位环的内壁，所述限位环的表面与压强管的顶端卡接，所述活塞的上表面与气压弹簧的底端固定连接，所述气压弹簧的顶端与限位环的下表面固定连接，所述壳体的正面卡接有电机，所述电机的输出轴与主动轮的正面固定连接，所述主动轮通过传动皮带与从动轮传动连接，所述主动轮的背面与收卷辊的正面固定连接，所述从动轮的背面与出料辊的正面固定连接，所述壳体内壁的正面和背面固定连接有同一个固定件，所述固定件的内壁设置有两个复位弹簧，两个复位弹簧的底端与同一个活动轮的两端分别固定连接。