[发明专利]3D存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种3D存储器件，其特征在于，包括：

衬底；

叠层结构，包括在所述衬底上交替堆叠的多个第一介质层和多个间隔层，所述叠层结构至少包括第一存储块、第二存储块以及位于所述第一存储块和所述第二存储块之间以电隔离所述第一存储块和所述第二存储块的隔离块；以及

绝缘部，自所述隔离块的表面向所述衬底方向延伸以至少切断位于顶层的所述间隔层，

其中，各所述存储块中的间隔层为栅极导体层，所述隔离块中且未被所述绝缘部贯穿的各所述间隔层为第二介质层。

2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其特征在于，被所述绝缘部切断的所述间隔层为所述栅极导体层。

3.根据权利要求1所述的3D存储器件，其特征在于，所述衬底包括第一阵列区、第二阵列区以及位于所述第一阵列区和所述第二阵列区之间的台阶区，所述隔离块位于所述台阶区上，

所述3D存储器件还包括隔离墙，位于所述第一阵列区和所述第二阵列区，贯穿所述叠层结构，并与所述绝缘部相连，

其中，所述隔离墙的宽度小于所述绝缘部的宽度。

4.根据权利要求3所述的3D存储器件，其特征在于，还包括平坦层，位于所述第一阵列区、所述第二阵列区以及所述台阶区，并至少覆盖所述叠层结构，

其中，所述绝缘部与所述平坦层为一体结构。

5.根据权利要3或4任一项所述的3D存储器件，其特征在于，还包括分别位于所述第一阵列区和所述第二阵列区上的多个沟道柱，

所述多个沟道柱贯穿所述叠层结构。

6.一种3D存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成叠层结构，包括在所述衬底上交替堆叠的多个第一介质层和多个间隔层，所述叠层结构至少包括第一存储块、第二存储块以及位于所述第一存储块和所述第二存储块之间以电隔离所述第一存储块和所述第二存储块的隔离块；以及

形成绝缘部，所述绝缘部自所述隔离块的表面向所述衬底方向延伸以至少切断位于顶层的所述间隔层，

其中，各所述存储块中的间隔层为栅极导体层，所述隔离块中且未被所述绝缘部贯穿的各所述间隔层为第二介质层。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，被所述绝缘部切断的所述间隔层为所述栅极导体层。

8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述衬底包括第一阵列区、第二阵列区以及位于所述第一阵列区和所述第二阵列区之间的台阶区，所述隔离块位于所述台阶区上，

形成所述叠层结构的步骤包括：

在所述衬底上形成绝缘叠层结构，所述绝缘叠层结构包括交替堆叠的所述多个第一介质层与所述多个第二介质层，所述绝缘叠层的顶层为所述第二介质层；

去除部分所述绝缘叠层结构以在所述台阶区上形成多个台阶并暴露多个所述第二介质层；

在多个所述第二介质层的暴露表面形成第三介质层；以及

至少将除对应于所述隔离块位置之外的所述第三介质层和各所述第二介质层置换为所述栅极导体层。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，形成所述绝缘部的步骤包括：

在形成所述第三介质层之前，在所述绝缘叠层结构对应于所述隔离块位置的表面形成凹槽，所述凹槽向衬底方向延伸以至少贯穿顶层的所述第二介质层，位于所述台阶区顶层的所述第二介质层表面的所述第三介质层被所述凹槽切断；以及

在形成所述第三介质层之后，在所述第一阵列区、所述第二阵列区以及所述台阶区上形成平坦层，所述平坦层至少覆盖所述绝缘叠层结构和所述第三介质层，并且延伸至所述凹槽中，

其中，位于所述凹槽中以及在所述台阶区切断所述第三介质层的所述平坦层作为所述绝缘部。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，形成所述凹槽的步骤与形成所述多个台阶的最后一道刻蚀步骤共同进行。