[发明专利]一种X射线折射闪耀光栅及制备方法有效
申请号: | 202110449952.1 | 申请日: | 2021-04-25 |
公开(公告)号: | CN113205899B | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 魏来;陈勇;范全平;杨祖华;刘东晓 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
主分类号: | G21K1/02 | 分类号: | G21K1/02 |
代理公司: | 成都佳划信知识产权代理有限公司 51266 | 代理人: | 史姣姣 |
地址: | 621000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 射线 折射 闪耀 光栅 制备 方法 | ||
1.一种X射线折射闪耀光栅,其特征在于,包括从下至上依次堆叠的数层光栅基板;任一层光栅基板包括支撑基底,以及周期阵列排布、且结构相同的多个微纳棱柱,所述微纳棱柱的水平截面为三角形或梯形,
当所述微纳棱柱的水平截面为三角形,且三角形的一边与光栅周期方向垂直,所述三角形与微纳棱柱周期阵列排布方向垂直的一边的两个底角α1、α2满足以下公式:
mλ/d=Mδ(1/tanα1+1/tanα2);
δ=1-n;
其中,m表示闪耀级次,λ表示所需闪耀的X射线波长,M表示每个周期内包含的棱柱数目,d表示光栅周期,n表示微纳棱柱在波长λ下的折射率实部;
当所述微纳棱柱的水平截面为梯形,且梯形的上底、下底与光栅周期方向垂直;所述梯形的上底的长度小于下底的长度,所述梯形的下底的两个底角α3、α4满足以下公式:
mλ/d=Mδ(1/tanα3+1/tanα4);
δ=1-n;
其中,m表示闪耀级次,λ表示所需闪耀的X射线波长,M表示每个周期内包含的棱柱数目,d表示光栅周期,n表示微纳棱柱在波长λ下的折射率实部。
2.根据权利要求1所述的一种X射线折射闪耀光栅,其特征在于,所述微纳棱柱周期阵列排布呈矩形点阵。
3.根据权利要求1所述的一种X射线折射闪耀光栅,其特征在于,所述光栅为透射光栅;所述X射线折射闪耀光栅的周期方向与X射线入射方向垂直,且微纳棱柱的截面法线与X射线入射方向垂直。
4.根据权利要求1所述的一种X射线折射闪耀光栅,其特征在于,所述微纳棱柱和支撑基底采用硅、铬、氮化硅、镁、铝、锗、塑料、SU-8光刻胶其中之一的材料。
5.一种根据权利要求1~4任一项所述的X射线折射闪耀光栅的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
根据所需闪耀的X射线求得X射线折射闪耀光栅的周期参数,得到待加工的光栅图形;
在双面抛光的待加工的光栅基板上镀一层20nm金膜,在金膜上涂制一层70nm-100nm光刻胶;根据光栅图形并利用电子束光刻和光刻胶显影,得到光栅光刻胶图形;
采用离子束刻蚀将光栅光刻胶图形转移到金膜上,并去除残留的光刻胶,得到折射闪耀光栅的金纳米结构;
采用金属催化化学腐蚀法,以折射闪耀光栅的金纳米结构作为局部阴极,并浸没在4.5mol/L氟化氢和0.15mol/L双氧水的混合溶液中,利用垂直方向的腐蚀,得到光栅基板;
采用堆叠数层光栅基板获得X射线折射闪耀光栅。
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