[发明专利]一种功率器件及其制作方法

权利要求书

1.一种功率器件，其特征在于，所述功率器件包括结构封装体、支架板、芯片和散热体，所述散热体包括层叠设置的接触导电层和高绝缘高导热层；

所述芯片的底面贴合设置在所述支架板的顶面上，位于所述散热体底面一侧的接触导电层贴合设置在所述芯片的顶面上；

所述支架板、所述芯片和所述散热体基于所述结构封装体封装，所述支架板的底面外露于所述结构封装体，所述散热体的顶面外露于所述结构封装体；

所述散热体还包括表面散热层，所述表面散热层设置在所述高绝缘高导热层表面；

所述功率器件还包括缓冲封装体，所述芯片和所述散热体基于所述缓冲封装体封装，所述缓冲封装体基于所述结构封装体封装；

所述功率器件还包括引脚；

所述引脚包括一体引脚，所述一体引脚的尾部伸出所述结构封装体，其中一个所述一体引脚与所述接触导电层一体成型；

当所述引脚还包括分体引脚且分体引脚通过连接线和焊盘与所述芯片电性连接时，所述连接线和所述焊盘基于所述缓冲封装体封装。

2.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述分体引脚与所述支架板分离设置，所述分体引脚的头部朝向所述支架板一侧，所述分体引脚的尾部伸出所述结构封装体。

3.如权利要求2所述的功率器件，其特征在于，在所述引脚包括两个一体引脚时，相对于与所述接触导电层一体成型的一体引脚，另一个所述一体引脚的头部与所述支架板电性连接。

4.一种功率器件制作方法，其特征在于，用于权利要求1至3任一项所述的功率器件的制作，包括：

支架料的制作，支架料包括若干支架单元和连接筋，所述支架单元包括支架板和芯片，芯片的底面通过固晶工艺固定在所述支架板上；

散热体料的制作，散热体料包括若干散热体和连接筋，所述散热体包括接触导电层和高绝缘高导热层；

贴装散热体，将所述散热体贴装至所述芯片的顶面上；

结构封装体成型，用结构封装材料将所述支架板、所述芯片和所述散热体封装，所述结构封装材料形成结构封装体，所述支架板的底面外露于所述结构封装体，所述散热体的顶面外露于所述结构封装体；

切筋，切断连接筋，得到所述功率器件。

5.如权利要求4所述的功率器件制作方法，其特征在于，所述散热体料的制作还包括：

接触导电层与焊线凸台或接触导电层与引脚的一体成型；

在结构封装体成型前，所述功率器件制作方法还包括：

连接分体引脚和/或一体引脚，分体引脚通过连接件和焊盘焊接在芯片上，一体引脚键合在支架板上。

6.如权利要求4所述的功率器件制作方法，其特征在于，支架料和散热体料通过连接筋设有互补定位结构，支架料的相邻支架单元之间的连接筋设有缺口结构，散热体料的相邻散热体之间的连接筋设有凸起结构，所述缺口结构与所述凸起结构在同一平面内互补，贴装散热体时，使散热体料叠合于支架料。

7.如权利要求4至6任一项所述的功率器件制作方法，其特征在于，在结构封装体成型前，所述功率器件制作方法还包括缓冲封装体成型，用内应力小于结构封装材料的缓冲封装材料封装所述芯片和所述散热体，所述缓冲封装材料形成所述缓冲封装体；所述缓冲封装体基于所述结构封装体封装；当所述接触导电层包括焊线凸台时，将所述焊线凸台封装进缓冲封装体中；当所述功率器件包括分体引脚时，将分体引脚与芯片电性连接的连接件和焊盘封装进缓冲封装体中。