[发明专利]一种OTS选通器件仿真模型在审
申请号: | 202110451619.4 | 申请日: | 2021-04-26 |
公开(公告)号: | CN113515914A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 张光明;雷宇;陈后鹏;宋志棠 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | G06F30/367 | 分类号: | G06F30/367 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人: | 钱文斌 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ots 器件 仿真 模型 | ||
本发明涉及一种OTS选通器件仿真模型,包括:状态模块,用于根据OTS选通器件的上一刻的状态和两端电压,控制所述OTS选通器件当前所处的状态;阻值模块,用于根据所述OTS选通器件当前所处的状态和两端电压来计算所述OTS选通器件的阻值;电压模块,根据所述OTS选通器件的阻值计算所述OTS选通器件的两端电压,并将所述OTS选通器件的两端电压传输给所述状态模块和所述阻值模块。本发明能够仿真模拟出OTS器件在电路中的工作状态。
技术领域
本发明涉及微电子领域,特别是涉及一种OTS选通器件仿真模型。
背景技术
OTS选通管是一种用于高密度新型存储器单元的核心元器件,具有集成度高,开关比大,驱动能力强等优点,是实现高密度存储,尤其是三维新型存储器不可或缺的器件。此前的相关研究主要集中在OTS材料、器件层面,并没有涉及相关的电路仿真模型。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种OTS选通器件仿真模型,能够仿真模拟出OTS器件在电路中的工作状态。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种OTS选通器件仿真模型,包括:状态模块,用于根据OTS选通器件的上一刻的状态和两端电压,控制所述OTS选通器件当前所处的状态;阻值模块,用于根据所述OTS选通器件当前所处的状态和两端电压来计算所述OTS选通器件的阻值;电压模块,根据所述OTS选通器件的阻值计算所述OTS选通器件的两端电压,并将所述所述OTS选通器件的两端电压传输给所述状态模块和所述阻值模块。
所述状态模块包括:第一比较单元和第二比较单元,所述第一比较单元在所述OTS选通器件上一时刻的状态为关断状态时,将所述OTS选通器件的两端电压与OTS选通器件的阈值电压进行比较,如果所述OTS选通器件的两端电压大于或等于所述OTS选通器件的阈值电压,则将所述OTS选通器件的当前所处的状态转变为导通状态,否则维持关断状态;所述第二比较单元在所述OTS选通器件上一时刻的状态为导通状态时,将所述OTS选通器件的两端电压与保持电压进行比较,如果所述OTS选通器件的两端电压小于所述保持电压时,则将所述OTS选通器件的当前所处的状态转变为为关断状态,否则维持导通状态。
所述阻值模块包括:第一计算单元和第二计算单元,所述第一计算单元在所述OTS选通器件当前所处的状态为关断状态时,通过计算得到所述OTS选通器件的阻值;所述第二计算单元在所述OTS选通器件当前所处的状态为导通状态时,通过ROTS=RL计算得到所述OTS选通器件的阻值;其中,ROTS为所述OTS选通器件的阻值,RH为所述OTS选通器件两端电压为0时的阻值,|VOTS|为所述OTS选通器件两端电压的绝对值,k为泄漏系数,RL为所述OTS选通器件处于导通状态下的阻值。
所述阻值模块还包括第三计算单元和第四计算单元,所述第三计算单元用于使得所述OTS选通器件由关断状态向导通状态转变时的阻值连续,所述第四计算单元用于使得所述OTS选通器件由导通状态向关断状态转变时的阻值连续。
所述第三计算单元在所述OTS选通器件由关断状态向导通状态转变时,通过计算得到所述OTS选通器件的阻值,其中,RL为所述OTS选通器件处于导通状态下的阻值,为所述OTS选通器件达到阈值电压时刻的阻值,T1为所述OTS选通器件达到阈值电压的时刻,t表示瞬态仿真时间,Speed_ON为所述OTS选通器件采用的OTS材料导通时间常数。
所述第四计算单元在所述OTS选通器件由导通状态向关断状态转变时,通过其中,为所述OTS选通器件降至保持电压时刻的阻值,T2为所述OTS选通器件降至保持电压的时刻,t表示瞬态仿真时间,Speed_OFF为所述OTS选通器件采用的OTS材料关断时间常数。
有益效果
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