[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，所述薄膜晶体管阵列基板具有显示区(10)和位于所述显示区(10)外围的非显示区(20)，其特征在于，所述制作方法包括：

提供衬底基板(11)；

在所述衬底基板(11)上形成第一金属层(M1)，并对所述第一金属层(M1)进行蚀刻以形成位于所述显示区(10)内的栅极(101)及位于所述非显示区(20)内的第一走线下段(311)和第三走线(33)；

在所述衬底基板(11)上形成覆盖所述栅极(101)、所述第一走线下段(311)和所述第三走线(33)的第一绝缘层(12)；

在所述第一绝缘层(12)上形成第二金属层(M2)，并对所述第二金属层(M2)进行蚀刻以形成位于所述非显示区(20)内的第一走线上段(312)；

在所述第一绝缘层(12)上形成覆盖所述第一走线上段(312)的金属氧化物半导体层(130)，并对所述金属氧化物半导体层(130)进行蚀刻以形成位于所述显示区(10)内的所述栅极(101)的正上方的第一金属氧化物半导体部(131)及位于所述非显示区(20)内的所述第一走线上段(312)的正上方的第二金属氧化物半导体部(132)；

在所述第一绝缘层(12)上形成覆盖所述第一金属氧化物半导体部(131)和所述第二金属氧化物半导体部(132)的第二绝缘层(14)；

对所述第二绝缘层(14)进行蚀刻，以在所述非显示区(20)内对应所述第一走线上段(312)的位置形成贯穿所述第二绝缘层(14)的第一通孔(141)，在所述非显示区(20)内对应所述第一走线下段(311)的位置形成贯穿所述第二绝缘层(14)的第一接触孔(142a)，在所述显示区(10)内对应所述栅极(101)的位置形成贯穿所述第二绝缘层(14)的第四通孔(144)和第五通孔(145)，使所述第一金属氧化物半导体部(131)的两端分别经由所述第四通孔(144)和所述第五通孔(145)露出，所述第二金属氧化物半导体部(132)经由所述第一通孔(141)露出；

对所述第一金属氧化物半导体部(131)经由所述第四通孔(144)和所述第五通孔(145)露出的区域及所述第二金属氧化物半导体部(132)经由所述第一通孔(141)露出的区域进行离子化处理，使所述第一金属氧化物半导体部(131)和所述第二金属氧化物半导体部(132)各自露出的区域由半导体转变为导体；

对所述第一绝缘层(12)进行蚀刻，以在所述非显示区(20)内对应所述第一接触孔(142a)的位置形成同时贯穿所述第一绝缘层(12)和所述第二绝缘层(14)的第二通孔(142)，使所述第一走线下段(311)经由所述第二通孔(142)露出；

在所述第二绝缘层(14)上形成第三金属层(M3)，并对所述第三金属层(M3)进行蚀刻形成位于所述显示区(10)内的源极(102)和漏极(103)及位于所述非显示区(20)内的桥接部(313)，其中所述源极(102)填入所述第四通孔(144)中与所述第一金属氧化物半导体部(131)的一端接触，所述漏极(103)填入所述第五通孔(145)中与所述第一金属氧化物半导体部(131)的另一端接触，所述桥接部(313)的一端填入所述第一通孔(141)中与所述第二金属氧化物半导体部(132)接触，所述桥接部(313)的另一端填入所述第二通孔(142)中与所述第一走线下段(311)接触。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，在对所述第一金属层(M1)进行蚀刻时还形成位于所述非显示区(20)内的第二走线下段(321)；

在对所述第二绝缘层(14)进行蚀刻时还在所述非显示区(20)内对应所述第二走线下段(321)的位置形成贯穿所述第二绝缘层(14)的第二接触孔(143a)；

在对所述第一绝缘层(12)进行蚀刻时还在所述非显示区(20)内对应所述第二接触孔(143a)的位置形成同时贯穿所述第一绝缘层(12)和所述第二绝缘层(12)的第三通孔(143)，使所述第二走线下段(321)经由所述第三通孔(143)露出；

在对所述第三金属层(M3)进行蚀刻时还形成位于所述非显示区(20)内的第二走线上段(322)，其中所述第二走线上段(322)填入所述第三通孔(143)中与所述第二走线下段(321)接触。