[发明专利]用于检测薄膜的污染的系统和方法在审
申请号: | 202110451807.7 | 申请日: | 2021-04-26 |
公开(公告)号: | CN113203714A | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 程仲良 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G01N21/63 | 分类号: | G01N21/63;G01N21/84;G01N21/94;G06K9/62;G06N3/04;G06N3/08 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 检测 薄膜 污染 系统 方法 | ||
1.一种用于检测薄膜的污染的方法,包括:
在薄膜沉积室中在晶圆上沉积薄膜;
利用激发光照射所述薄膜;
检测响应于所述激发光的来自所述薄膜的发射光谱;以及
通过利用控制系统的分析模型分析所述发射光谱来检测所述薄膜的污染。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括在所述薄膜沉积室中利用所述激发光照射所述薄膜。
3.根据权利要求1所述的方法,还包括:
将所述晶圆从所述薄膜沉积室传送到检测室;以及
在所述检测室中利用所述激发光照射所述薄膜。
4.根据权利要求3所述的方法,还包括在利用所述激发光照射所述薄膜时,在所述检测室中保持所述薄膜沉积室的真空条件。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,检测污染包括检测所述薄膜的氧化。
6.根据权利要求5所述的方法,还包括:利用所述控制系统基于检测所述薄膜的氧化来检测所述薄膜沉积室中的泄漏。
7.根据权利要求1所述的方法,还包括响应于检测到所述薄膜的污染而停止所述薄膜沉积室的操作。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述激发光包括紫外线光,其中,检测所述发射光谱包括:检测光致发光光谱。
9.一种用于检测薄膜的污染的系统,包括:
薄膜沉积室,配置为在晶圆上沉积薄膜;
辐射源,配置为利用激发光照射所述薄膜;
发射物传感器,配置为检测响应于所述激发光的来自所述晶圆的发射光谱;以及
控制系统,所述控制系统耦接至所述辐射源和所述发射物传感器,并且配置为通过分析所述发射光谱来检测所述薄膜的污染,并且响应于检测到所述薄膜的污染而停止所述薄膜沉积室中的薄膜沉积工艺。
10.一种用于检测薄膜的污染的方法,包括:
利用机器学习过程训练分析模型以检测薄膜的污染,所述机器学习过程利用来自在多个污染和非污染条件下检测到的多个光谱的数据;
在薄膜沉积室中在晶圆上沉积薄膜;
利用激发光照射所述晶圆;
检测响应于所述激发光的来自所述晶圆的发射光谱;以及
通过利用所述分析模型分析所述发射光谱来检测所述薄膜是否被污染。
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