[发明专利]同步整流控制电路在审
申请号: | 202110452190.0 | 申请日: | 2021-04-26 |
公开(公告)号: | CN113179034A | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 刘祖贵;杨威;兰勇;龚瑾荣;付中辉 | 申请(专利权)人: | 长城电源技术有限公司 |
主分类号: | H02M7/219 | 分类号: | H02M7/219;H02M1/08 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 田甜 |
地址: | 030000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 同步 整流 控制电路 | ||
本申请适用于同步整流技术领域,提供了一种同步整流控制电路,上述同步整流控制电路包括电流采集电路和逻辑驱动电路。通过电流采集电路采集变压器线圈的工作电流,并根据所述工作电流输出交流信号。然后逻辑驱动电路根据所述交流信号输出第一控制信号和第二控制信号,控制同步整流桥对变压器次级线圈输出的电流进行整流。相对于传统的同步整流驱动技术,本申请实施例提供的同步整流控制电路不需要复杂的程序设计,而是依靠硬件电路生成同步整流桥的驱动信号实现精准的同步整流控制,从而降低了同步整流控制技术的设计难度。
技术领域
本申请属于同步整流技术领域,尤其涉及一种同步整流控制电路。
背景技术
同步整流技术是目前应用于开关电源领域中非常普遍的技术,其采用通态电阻极低的MOSFET管金属氧化层半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,金属氧化层半导体场效应晶体管)取代二极管,以降低整流损耗。
当MOSFET管的源极到漏极流过正向电流时,MOSFET管被PWM(pulse widthmodulation,脉冲宽度调制)信号驱动打开,MOSFET管的导通内阻远小于二极管正向压降。当MOSFET管的源极到漏极流过反向电流时,MOSFET管被PWM驱动关断,反向电流截止。
传统的同步整流驱动技术采用预设编程方式,利用程序算法生成PWM信号实现对同步整流桥的控制,但该方式存在前期设计难度大的问题。
发明内容
本申请实施例提供了一种同步整流控制电路,可以解决传统同步整流驱动技术设计难度大的问题。
本申请实施例提供了一种同步整流控制电路,包括:
电流采集电路,用于采集变压器线圈的工作电流,并根据所述工作电流输出交流信号;以及
逻辑驱动电路,与所述电流采集电路电连接,用于根据接收到的所述交流信号输出第一控制信号和第二控制信号;
所述第一控制信号和所述第二控制信号用于控制同步整流桥对变压器次级线圈输出的电流进行整流。
一种可能的实现方式中,所述电流采集电路包括电流互感器,所述电流互感器的初级线圈与变压器线圈串联,所述电流互感器的次级线圈与所述逻辑驱动电路电连接,所述变压器线圈为变压器的初级线圈或次级线圈。
一种可能的实现方式中,所述逻辑驱动电路包括:
整流单元,与所述电流采集电路电连接,用于根据所述交流信号输出第一电流信号和第二电流信号;
第一逻辑单元,与所述整流单元电连接,用于根据所述第一电流信号输出第一逻辑信号;
第二逻辑单元,与所述整流单元电连接,用于根据所述第二电流信号输出第二逻辑信号;
驱动单元,分别与所述第一逻辑单元和所述第二逻辑单元电连接,用于根据所述第一逻辑信号输出第一控制信号,根据所述第二逻辑信号输出第二控制信号。
一种可能的实现方式中,所述整流单元包括第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管;
所述第一二极管的阳极分别与所述第四二极管的阴极和变压器次级线圈的第一端电连接,所述第一二极管的阴极分别与所述第一逻辑单元的第一端、所述第二逻辑单元的第一端和所述第二二极管的阴极电连接;所述第二二极管的阳极分别与所述第三二极管的阴极和变压器次级线圈的第二端电连接,所述第三二极管的阳极与所述第一逻辑单元的第二端电连接,所述第四二极管的阳极与所述第二逻辑单元的第二端电连接。
一种可能的实现方式中,所述第一逻辑单元包括第一三极管和第一电阻;
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