[发明专利]过渡金属硫族化合物单晶及其制备方法

权利要求书

1.一种过渡金属硫族化合物单晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取生长基板，将所述生长基板置于半封闭夹具中，进行退火处理，得到退火后的生长基板；

基于气相沉积法，在所述退火后的生长基板表面生成单向排列的过渡金属硫族化合物晶粒，得到取向一致的过渡金属硫族化合物单晶。

2.如权利要求1所述过渡金属硫族化合物单晶的制备方法，其特征在于，所述半封闭夹具包括相对设置的两个夹片，两个所述夹片夹设所述生长基板的用于生长单晶的表面，所述生长基板的侧表面暴露于退火环境中。

3.如权利要求1所述过渡金属硫族化合物单晶的制备方法，其特征在于，所述生长基板置于所述半封闭夹具中的数量至少为一片。

4.如权利要求2所述过渡金属硫族化合物单晶的制备方法，其特征在于，所述夹片的材料与所述生长基板的材料相同。

5.如权利要求4所述过渡金属硫族化合物单晶的制备方法，其特征在于，所述生长基板的材料选自：蓝宝石、氧化镓、氮化硼、金、白金、石英中的至少一种。

6.如权利要求1～5任一项所述过渡金属硫族化合物单晶的制备方法，其特征在于，所述退火处理的条件包括：在温度为900～1600℃，压力为1～10Torr的含氧气氛中，进行退火处理4～8h。

7.如权利要求6所述过渡金属硫族化合物单晶的制备方法，其特征在于，所述含氧气氛中包括体积比为(10～30)：(70～90)的氧气和化学惰性气体。

8.如权利要求1～5或7任一项所述过渡金属硫族化合物单晶的制备方法，其特征在于，所述过渡金属硫族化合物包括：二硫化钼、二硫化钨、二硒化钼、二硒化钨中的一种。

9.如权利要求8所述过渡金属硫族化合物单晶的制备方法，其特征在于，所述气相沉积法包括：化学气相沉积法、分子束外延法、脉冲激光沉积法、磁控溅射法中的一种。

10.如权利要求9所述过渡金属硫族化合物单晶的制备方法，其特征在于，在所述退火后的生长基板表面生成单向排列的过渡金属硫族化合物晶粒的步骤包括：将所述退火后的生长基板置于气相沉积腔室中，载入过渡金属硫族化合物生长源，设定生长源反应条件，在所述退火后的生长基板表面生成单向排列的所述过渡金属硫族化合物晶粒。