[发明专利]一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制作方法及显示面板

说明书

本发明实施例公开了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制作方法及显示面板。该薄膜晶体管，包括衬底；依次层叠设置于衬底一侧的有源层、绝缘层和栅电极层；有源层包括沟道区和设置于沟道区两侧的源区和漏区；源区与沟道区相邻的第一区域的厚度小于沟道区的厚度；和/或，漏区与沟道区相邻的第二区域的厚度小于沟道区的厚度。本发明实施例提供的技术方案使得与沟道区相邻的第一区域的截面的面积以及与沟道区相邻的第二区域的截面的面积较小，从而减小了离子向沟道区扩散的通路面积，使得设置于源区和漏区之间的沟道区的有效长度较长，提高薄膜晶体管的可靠性和稳定性，解决现有的薄膜晶体管在离子注入后会减小薄膜晶体管的沟道的长度的问题。

技术领域

本发明实施例涉及薄膜晶体管技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制作方法及显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展以及人们生活水平的提高，显示装置得到广泛应用。现有的显示装置中，薄膜晶体管一般用作开关元件或驱动元件来控制像素，现有薄膜晶体管的可靠性和稳定性较低。

发明内容

本发明实施例提供一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制作方法及显示面板，以解决现有的薄膜晶体管可靠性和稳定性较低的问题。

为实现上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

第一方面，本发明实施例提供一种薄膜晶体管，包括：

衬底；

依次层叠设置于衬底一侧的有源层、绝缘层和栅电极层；

有源层包括沟道区和设置于沟道区两侧的源区和漏区；

源区与沟道区相邻的第一区域的厚度小于沟道区的厚度；和/或，漏区与沟道区相邻的第二区域的厚度小于沟道区的厚度。

进一步地，第一区域包括与沟道区相邻的第一边界以及远离沟道区的第二边界；

沿第一边界指向第二边界的方向，第一区域的厚度逐渐增加；

第二区域包括与沟道区相邻的第三边界以及远离沟道区的第四边界；

沿第三边界指向第四边界的方向，第二区域的厚度逐渐增加。

进一步地，第一区域包括至少两个子源区，沿远离沟道区的方向，子源区的厚度逐渐增加；

第二区域包括至少两个子漏区，沿远离沟道区的方向，子漏区的厚度逐渐增加。

进一步地，绝缘层仅覆盖沟道区或覆盖整个有源层。

进一步地，第一区域的厚度为沟道区厚度的40％～80％；

第二区域的厚度为沟道区厚度的40％～80％。

进一步地，第一区域为源区；

第二区域为漏区。

进一步地，有源层的材料为金属氧化物。

第二方面，本发明实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

提供衬底；

在衬底上形成半导体层；其中，半导体层包括源区、沟道区和漏区；源区与沟道区相邻的第一区域的厚度小于沟道区的厚度；和/或，漏区与沟道区相邻的第二区域的厚度小于沟道区的厚度；

在半导体层远离衬底的一侧形成绝缘层；

在绝缘层远离衬底的一侧形成栅电极层；

以栅电极层为掩膜，向半导体层注入离子，形成具有沟道区和设置于沟道区两侧的源区和漏区的有源层。

进一步地，在衬底上形成半导体层，包括：

在衬底上形成半导体材料层；