[发明专利]一种钽靶材及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110454955.4 申请日: 2021-04-26
公开(公告)号: CN113136554A 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;江胜君 申请(专利权)人: 宁波江丰电子材料股份有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;B22F3/04;B22F3/15
代理公司: 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 代理人: 王岩
地址: 315400 浙江省宁波市*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 钽靶材 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种钽靶材的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:

(1)装填并压实钽粉,经过冷等静压处理,得到钽生坯;

(2)将步骤(1)所得钽生坯进行第一脱气处理,经过700-1300℃的第一热等静压处理,得到第一钽坯料;

(3)将步骤(2)所得第一钽坯料进行第二脱气处理,经过1300-1600℃的第二热等静压处理,得到第二钽坯料;

(4)将步骤(3)所得第二钽坯料进行机加工,得到钽靶材。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述钽粉的平均粒径为1-200μm;

优选地,步骤(1)所述钽粉的纯度≥99%;

优选地,步骤(1)所述钽粉在包套中进行装填和压实。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述冷等静压处理的绝对压力为100-300MPa;

优选地,步骤(1)所述冷等静压处理的时间为10-120min;

优选地,步骤(1)所述冷等静压处理之前还对压实后的钽粉进行防水处理;

优选地,所述防水处理为采用塑料膜对压实后的钽粉进行包裹。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述第一脱气处理的绝对真空度≤1×10-3Pa;

优选地,步骤(2)所述第一脱气处理的温度为300-600℃;

优选地,步骤(2)所述第一脱气处理的时间为8-24h。

5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述第一热等静压处理的绝对压力为100-300MPa;

优选地,步骤(2)所述第一热等静压处理的时间为2-24h。

6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述第二脱气处理的绝对真空度≤2×10-3Pa;

优选地,步骤(3)所述第二脱气处理的温度为400-700℃;

优选地,步骤(3)所述第二脱气处理的时间为8-24h。

7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述第二热等静压处理的绝对压力为100-300MPa;

优选地,步骤(3)所述第二热等静压处理的时间为2-24h。

8.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(4)所述机加工包括抛光与切割。

9.根据权利要求1-8任一项所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:

(1)在包套中装填并压实平均粒径为1-200μm,纯度≥99%的钽粉,采用塑料膜对压实后的钽粉进行包裹,经过绝对压力为100-300MPa,时间为10-120min的冷等静压处理,得到钽生坯;

(2)将步骤(1)所得钽生坯进行绝对真空度≤1×10-3Pa,温度为300-600℃,时间为8-24h的第一脱气处理,经过绝对压力为100-300MPa,温度为700-1300℃,时间为2-24h的第一热等静压处理,得到第一钽坯料;

(3)将步骤(2)所得第一钽坯料进行绝对真空度≤2×10-3Pa,温度为400-700℃,时间为8-24h的第二脱气处理,经过绝对压力为100-300MPa,温度为1300-1600℃,时间为2-24h的第二热等静压处理,得到第二钽坯料;

(4)将步骤(3)所得第二钽坯料进行抛光与切割,得到钽靶材。

10.一种如权利要求1-9任一项所述的制备方法制备得到的钽靶材。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波江丰电子材料股份有限公司,未经宁波江丰电子材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110454955.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top