[发明专利]太阳能叠层电池、太阳能组件和太阳能电池制作方法

权利要求书

1.一种太阳能叠层电池，其特征在于，依次设有钙钛矿顶电池、P型微晶硅结合层和N型晶硅底层电池，所述P型微晶硅结合层用于导通所述钙钛矿顶电池和所述N型晶硅底层电池。

2.根据权利要求1所述的太阳能叠层电池，其特征在于，所述P型微晶硅结合层的厚度在5nm至20nm范围内。

3.根据权利要求1所述的太阳能叠层电池，其特征在于，所述P型微晶硅结合层包括P型微晶硅层、掺氢P型微晶氧化硅层以及掺氢P型微晶硅层中的至少两层。

4.根据权利要求3所述的太阳能叠层电池，其特征在于，所述P型微晶硅结合层包括由上至下依次设置的所述P型微晶硅层、所述掺氢P型微晶氧化硅层以及所述掺氢P型微晶硅层。

5.根据权利要求4所述的太阳能叠层电池，其特征在于，所述P型微晶硅层的厚度在2至10nm范围内，所述掺氢P型微晶氧化硅层的厚度在2至10nm范围内，所述掺氢P型微晶硅层的厚度在2至10nm范围内。

6.根据权利要求1所述的太阳能叠层电池，其特征在于，所述N型晶硅底层电池包括topcon、HJT、IBC或者HBC。

7.根据权利要求1所述的太阳能叠层电池，其特征在于，所述N型晶硅底层电池包括topcon，由上至下设置有N型掺杂多晶硅层、二氧化硅层、N型硅片、硼扩散层以及钝化层。

8.根据权利要求1所述的太阳能叠层电池，其特征在于，所述钙钛矿顶电池包括透明导电层、电子传输层、钙钛矿吸收层和空穴传输层。

9.一种太阳能组件，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的太阳能叠层电池。

10.一种太阳能电池制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1至8任一项所述的太阳能叠层电池，所述太阳能电池制作方法包括以下步骤：

制作所述N型晶硅底层电池；

在所述N型晶硅底层电池上沉积所述P型微晶硅结合层；

在所述P型微晶硅结合层上制作钙钛矿顶电池。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，所述在所述N型晶硅底层电池上沉积所述P型微晶硅结合层的步骤，至少包括以下三个步骤中的两个步骤：

在PECVD设备的内部通入B₂H₆和SiH₄，以形成P型微晶硅层；或

在PECVD设备的内部通入H₂、CO₂、B₂H₆和SiH₄，以形成掺氢P型微晶氧化硅层；或

在PECVD设备的内部通入H₂、B₂H₆和SiH₄，以形成掺氢P型微晶硅层。

12.根据权利要求11所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，所述在PECVD设备的内部通入B₂H₆和SiH₄以形成P型微晶硅层的步骤中，控制温度在170℃至200℃范围内，B₂H₆和SiH₄的比例为1～2：1，所述PECVD设备的功率在2000至4000W范围内，所述P型微晶硅层的厚度在2至10nm范围内；

所述在PECVD设备的内部通入H₂、CO₂、B₂H₆和SiH₄以形成掺氢P型微晶氧化硅层的步骤中，控制控制温度在170℃至200℃范围内，H₂、CO₂、B₂H₆和SiH₄的比例为200～300：100～200：1～2：1，所述PECVD设备的功率在2000至4000W范围内，所述掺氢P型微晶氧化硅层的厚度在2至10nm范围内；

所述在PECVD设备的内部通入H₂、B₂H₆和SiH₄以形成掺氢P型微晶硅层的步骤中，控制控制温度在170℃至200℃范围内，H₂、B₂H₆和SiH₄的比例为200～300：1～2：1，所述PECVD设备的功率在2000至4000W范围内，所述掺氢P型微晶硅层厚度在2至10nm范围内。