[发明专利]显示面板及其制备方法有效
申请号: | 202110458047.2 | 申请日: | 2021-04-27 |
公开(公告)号: | CN113192986B | 公开(公告)日: | 2023-01-10 |
发明(设计)人: | 卢马才 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李健 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
本申请提供一种显示面板及其制备方法,该显示面板通过将低温多晶硅薄膜晶体管的第一源极和第一漏极与氧化物薄膜晶体管的第二源极和第二漏极同层设置,使得在形成低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管时,能够减少显示面板的工艺步骤,从而可以提高氧化物薄膜晶体管的稳定性,相应可以减短氧化物薄膜晶体管的沟道长度,提高显示面板的解析度,且避免显示面板出现显示不良,且由于第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极同层设置,可以降低显示面板的厚度。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其是涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示面板由于自发光可以实现柔性显示被广泛应用。在显示面板的驱动过程中,会采用至少两个薄膜晶体管控制像素进行显示,且为了降低显示面板的功耗,会采用低温多晶硅薄膜晶体管作为驱动晶体管,采用氧化物薄膜晶体管作为控制电容电位的晶体管。但在现有采用低温多晶硅和氧化物薄膜晶体管的显示面板中,由于低温多晶硅和氧化物薄膜晶体管需要分开制备,导致显示面板的工艺步骤较多,影响氧化物薄膜晶体管的稳定性,导致显示面板出现显示不良。
所以,现有显示面板制备方法存在工艺步骤较多的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法,用以缓解现有显示面板制备方法存在工艺步骤较多的技术问题。
本申请实施例提供一种显示面板,该显示面板包括
多条栅极线和多条数据线,所述多条栅极线与所述多条数据线交叉绝缘排布并形成阵列排布的多个子像素,各所述子像素中至少设有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、像素电容、电源端和发光单元;其中,
所述第一薄膜晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管,所述低温多晶硅薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极,所述第一栅极与所述像素电容连接,所述第一源极与所述电源端连接,所述第一漏极与所述发光单元连接;
所述第二薄膜晶体管包括氧化物薄膜晶体管,所述氧化物薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极,所述第二栅极与所述栅极线连接,所述第二源极与所述数据线连接,所述第二漏极与所述第一栅极连接;
其中,所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极同层设置,且所述第一源极和第一漏极与所述第二源极和第二漏极相互绝缘。
在一些实施例中,所述显示面板还包括衬底,所述低温多晶硅薄膜晶体管包括位于所述衬底上的第一有源层,所述第一栅极设置于所述第一有源层一侧,所述第一源极和第一漏极设置于所述第一有源层远离所述衬底的一侧,且所述第一源极和第一漏极与所述第一有源层连接。
在一些实施例中,所述氧化物薄膜晶体管包括位于所述衬底上的第二有源层,所述第二栅极设置于所述第二有源层远离所述衬底的一侧,所述第二源极和所述第二漏极设置于所述第二有源层下,所述第二栅极设置于所述第二有源层远离所述第二源极的一侧。
在一些实施例中,所述显示面板包括:
第一绝缘层,设置于所述第一源极和第一漏极上;
第二绝缘层,设置于所述第二源极和第二漏极上;
其中,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层分离设置。
在一些实施例中,所述显示面板还包括:
第一栅极绝缘层,设置于所述第一有源层远离所述衬底的一侧;
第一栅极层,设置于所述第一栅极绝缘层远离所述第一有源层的一侧,所述第一栅极层包括第一栅极;
层间绝缘层,设置于所述第一栅极层远离所述第一栅极绝缘层的一侧;
源漏极层,设置于所述层间绝缘层远离所述第一栅极层的一侧;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的