[发明专利]一种空穴选择性钝化接触电池的制备方法

权利要求书

1.一种空穴选择性钝化接触电池的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）双面制绒；

（2）硼掺杂：利用化学气相沉积或者旋涂的方式进行无氧推进形成高表面浓度浅结的硼掺杂；

（3）背面形貌；

（4）沉积微晶硅：采用LPCVD/PECVD/PVD的方式双面生长隧穿层及微晶硅；

（5）制备细栅线图形：利用掩膜的方式形成细栅图形；

（6）形成轻掺杂p+层：利用酸刻蚀的方式去除非掩膜区域的微晶硅并刻蚀硼掺杂区域形成P+层，再用酸洗方式去除氧化层；

（7）形成高掺杂多晶硅p++层及n+层：通过热氧化后进行磷掺杂或者旋涂的方式经过高温退火分别形成了高掺杂多晶硅p++层及n+层；

（8）清洗；

（9）钝化；

（10）丝网印刷。

2.根据权利要求1所述的空穴选择性钝化接触电池的制备方法，其特征在于：步骤（2）具体操作为：使用BCL3：O2=1：2-9的流量比例进行预沉积温度800-850℃，时间20-30min，而后在950℃-1000℃氮气保护下进行无氧推进。

3.根据权利要求1或2所述的空穴选择性钝化接触电池的制备方法，其特征在于：步骤（2）中所述高表面浓度浅结的硼掺杂为：表面浓度为5e19-1e20 atoms/cm3，结深为0.3-0.6um。

4.根据权利要求1所述的空穴选择性钝化接触电池的制备方法，其特征在于：步骤（7）中所述高温退火温度不高于900℃。