[发明专利]垂直型晶体管、存储器及制备方法

权利要求书

1.一种垂直型晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基底；

于所述基底上形成垂直型的晶体管叠层结构；

图形化所述晶体管叠层结构，显露部分所述基底；

于所述基底及所述晶体管叠层结构上形成隔离层；

形成环栅结构，所述环栅结构包括栅介电层及栅导电层，所述栅介电层包括与所述晶体管叠层结构相接触的第一栅介电层及与所述栅导电层相接触的第二栅介电层；

去除所述第二栅介电层，在所述栅导电层与所述第一栅介电层之间形成凹槽；

于所述凹槽中形成冰介电层；

形成钝化层，所述钝化层覆盖所述栅导电层、冰介电层及第一栅介电层；

图形化所述钝化层，于所述钝化层中形成与所述晶体管叠层结构电连接的金属连接部。

2.根据权利要求1所述的垂直型晶体管的制备方法，其特征在于，于所述凹槽中形成所述冰介电层的步骤包括：

在0℃以下，采用ALD工艺或CVD工艺，进行沉积，形成冰介电层；

采用雷射回火工艺或快速热退火工艺图形化所述冰介电层，形成位于所述凹槽中的所述冰介电层。

3.根据权利要求1所述的垂直型晶体管的制备方法，其特征在于，形成与所述晶体管叠层结构电连接的所述金属连接部的步骤包括：

图形化所述钝化层，于所述钝化层中形成沟槽，所述沟槽包括位于所述栅导电层上的第一沟槽、位于所述晶体管叠层结构上的第二沟槽及位于所述基底上的第三沟槽；

于所述第二沟槽及第三沟槽的底部形成欧姆接触层；

于所述沟槽中形成覆盖所述沟槽的底部及侧壁的扩散阻挡层；

形成填充所述沟槽的金属层。

4.根据权利要求1所述的垂直型晶体管的制备方法，其特征在于：所述第一栅介电层包括氧化硅层或氧化铝层；所述第二栅介电层包括氧化铪层或氧化锆层；所述栅导电层包括TiN层、Ti层、TaN层、Ta层及W层中的一种或组合。

5.根据权利要求1所述的垂直型晶体管的制备方法，其特征在于：形成所述钝化层的方法包括在0℃以下的FCVD法。

6.根据权利要求1所述的垂直型晶体管的制备方法，其特征在于：所述晶体管叠层结构包括NNN型晶体管叠层结构、PPP型晶体管叠层结构、NPN型晶体管叠层结构及PNP型晶体管叠层结构中的一种或组合。

7.一种垂直型晶体管，其特征在于，所述垂直型晶体管包括：

基底；

晶体管叠层结构，所述晶体管叠层结构位于所述基底上；

环栅结构，所述环栅结构包括栅介电层及栅导电层，所述栅介电层包括与所述晶体管叠层结构相接触的第一栅介电层及位于所述栅导电层与所述第一栅介电层之间的水介电层；

钝化层，所述钝化层覆盖所述环栅结构及晶体管叠层结构；

金属连接部，所述金属连接部位于所述钝化层中，且所述金属连接部与所述晶体管叠层结构电连接。

8.根据权利要求7所述的垂直型晶体管，其特征在于：所述晶体管叠层结构包括NNN型晶体管叠层结构、PPP型晶体管叠层结构、NPN型晶体管叠层结构及PNP型晶体管叠层结构中的一种或组合。

9.一种垂直型存储器的制备方法，其特征在于：包括采用权利要求1～6中任一所述垂直型晶体管的制备方法制备所述存储器。

10.一种垂直型存储器，其特征在于：所述垂直型存储器包括权利要求7～8中任一所述垂直型晶体管。