[发明专利]一种存储器最佳读电压确定方法

权利要求书

1.一种存储器最佳读电压确定方法，其特征在于：包括以下步骤：

S01）、设最佳读电压点为存储器相邻阈值电压态的交叉点，默认读电压点为存储器出厂时设置的读电压点；

S02）、计算两个相邻阈值电压态相对初始状态的漂移距离offset1、offset2，计算某个阈值电压态相对其初始状态的漂移距离的公式为：

 ，

其中offset_n为阈值电压态相对其初始状态的漂移距离，RV_default为阈值电压态的默认读电压点，μ_initial为阈值电压分布的初始均值；σ为阈值电压发生偏移后的方差，C为偏差数量；利用公式求offset_n时，先获取μ_initial、σ、C；

S03）、最佳读电压点相对于默认读电压点的偏移距离offset = (offset1+offset2)/2，根据偏移距离和默认读电压点确定最佳读电压点。

2.根据权利要求1所述的存储器最佳读电压确定方法，其特征在于：C为左偏错误或者右偏错误对应的错误数量，左偏错误指写入数据时对应阈值电压高于读电压，但读取数据时阈值电压低于读电压，右偏错误指写入数据时对应阈值电压低于读电压，但读取数据时阈值电压高于读电压。

3.根据权利要求1所述的存储器最佳读电压确定方法，其特征在于：通过记录写入阈值电压态数量和读出阈值电压态数量，再计算两者之间的差异，从而获取C。

4.根据权利要求3所述的存储器最佳读电压确定方法，其特征在于：通过一次默认读电压读取得到读出阈值电压态数量。

5.根据权利要求3所述的存储器最佳读电压确定方法，其特征在于：对于多值存储的存储器，按照从高位到低位的方式确定偏差数量，对于最高位的阈值电压态，其偏差数量等于通过默认读电压读出的阈值电压态数量与写入阈值电压态数量的差值，对于不是最高位的阈值电压态，其偏差数量C=C1-C2，C1为上一位阈值电压态的偏差数量，C2为本阈值电压态对应的默认读电压读出的阈值电压态数量与写入阈值电压态数量的差值。

6.根据权利要求1所述的存储器最佳读电压确定方法，其特征在于：阈值电压分布的初始均值在NAND闪存颗粒出厂状态下的阈值电压分布的宽度的二分之一位置或者相邻默认读电压之前的中间位置。

7.根据权利要求1所述的存储器最佳读电压确定方法，其特征在于：获取阈值电压发生偏移后的方差的方式为：对不同情况下的阈值电压分布进行高斯拟合来提取。

8.根据权利要求7所述的存储器最佳读电压确定方法，其特征在于：所述不同情况包括磨损程度、数据保持时间、读写干扰程度。

9.根据权利要求1所述的存储器最佳读电压确定方法，其特征在于：本方法适用于SLC、MLC 、TLC、QLC闪存颗粒。