[发明专利]大功率智能功率模块反偏试验方法

说明书

本发明涉及智能功率模块技术领域，尤其涉及一种大功率智能功率模块反偏试验方法，包括如下步骤：步骤S1：对大功率智能功率模块的上、下桥芯片同时进行反偏试验，或对上、下桥芯片分别进行反偏试验；步骤S2：将大功率智能功率模块与反偏板连接；步骤S3：将大功率智能功率模块分别与高压电源及低压电源连接；步骤S4：将大功率智能功率模块放置高温环境内进行反偏试验。本发明的大功率智能功率模块反偏试验方法实现了一具体大功率智能功率模块进行高温反偏试验的方案，有利于工作人员根据该方案了解大功率智能功率模块的可靠性，有利于保证产品的合格率，利于提升企业的信誉及生产效益。

【技术领域】

本发明涉及智能功率模块技术领域，尤其涉及一种大功率智能功率模块反偏试验方法。

【背景技术】

智能功率模块是以IGBT芯片为内核的先进混合集成的功率器件，由高速低功耗的IGBT芯片、FRD芯片和优化的门极驱动电路构成，高温反偏试验是功率器件老化试验的一种，是功率器件可靠性考核必不可少的一种试验方法。

因此，如何对大功率智能功率模块进行高温反偏试验，便成为所要解决的重点。

【发明内容】

为克服上述的技术问题，本发明提供了一种大功率智能功率模块反偏试验方法。

本发明解决技术问题的方案是提供一种大功率智能功率模块反偏试验方法，包括如下步骤：

步骤S1：对大功率智能功率模块的上、下桥芯片同时进行反偏试验，或对上、下桥芯片分别进行反偏试验；

步骤S2：将大功率智能功率模块与反偏板连接；

步骤S3：将大功率智能功率模块分别与高压电源及低压电源连接；

步骤S4：将大功率智能功率模块放置高温环境内进行反偏试验。

优选地，所述大功率智能功率模块为七单元大功率智能功率模块或六单元大功率智能功率模块。

优选地，所述高压电源的电压为大功率智能功率模块的额定电压的80％-100％。

优选地，所述低压电源的电压为13.5-18.5V。

优选地，所述高温环境的温度为120℃-150℃。

优选地，在步骤S2中，根据上、下桥进行反偏试验的顺序将大功率智能功率模块与反偏板进行连接。

优选地，在步骤S3中，根据上、下桥进行反偏试验的顺序将大功率智能功率模块与高压电源及低压电源连接。

相对于现有技术，本发明的大功率智能功率模块反偏试验方法具有如下优点：

根据本发明的大功率智能功率模块反偏试验方法，实现了一具体大功率智能功率模块进行高温反偏试验的方案，有利于工作人员根据该方案了解大功率智能功率模块的可靠性，有利于保证产品的合格率，利于提升企业的信誉及生产效益。

【附图说明】

图1是本发明大功率智能功率模块反偏试验方法的具体流程示意图。

图2是本发明七单元大功率智能功率模块的具体电路示意图。

图3是本发明六单元大功率智能功率模块的具体电路示意图。

图4是本发明七单元大功率智能功率模块进行上、下桥反偏试验时与高压电源、低压电源的具体电路连接示意图。

图5是本发明六单元大功率智能功率模块进行上、下桥反偏试验时与高压电源、低压电源的具体电路连接示意图。

图6是本发明七单元大功率智能功率模块进行上桥芯片反偏试验时与高压电源、低压电源的具体电路连接示意图。