[发明专利]一种化学机械抛光后清洗液及其制备方法

权利要求书

1.一种清洗液，其原料包括下列质量分数的组分：5-15%强碱、5%-8%醇胺、0.005%-0.01%抗氧化物、0.01%-0.1%多肽、0.01%-0.1%氨基酸、0.5%-0.8%缓蚀剂、0.3%-0.9%螯合剂、0.2%-0.7%表面活性剂，水补足余量，各组分质量分数之和为100%；

其中，所述强碱选自四甲基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、胆碱、(2-羟基乙基)三甲基氢氧化铵、三（2-羟乙基）甲基氢氧化铵和四丁基氢氧化膦中的一种或多种；

所述醇胺为单乙醇胺；

所述抗氧化物为抗坏血酸；

所述多肽为还原型谷胱甘肽和氧化型谷胱甘肽的组合；所述还原型谷胱甘肽与所述氧化型谷胱甘肽质量比为1:1；

所述氨基酸为组氨酸和半胱氨酸的组合，所述组氨酸与所述半胱氨酸的质量比为1:1；

所述缓蚀剂为2-巯基苯并噻唑；

所述螯合剂为丙二酸；

所述表面活性剂为十二烷基苯磺酸。

2.如权利要求1所述清洗液，其特征在于，所述清洗液为用于化学机械抛光后半导体器件清洗液。

3.如权利要求2所述清洗液，其特征在于，所述半导体器件为铜基芯片、钴基芯片和钨基芯片中的一种或多种。

4.如权利要求1所述清洗液，其特征在于，所述多肽的质量分数为0.01%-0.05%；

所述氨基酸的质量分数为0.01%-0.05%。

5.如权利要求1所述清洗液，其特征在于，所述多肽的质量分数为0.01%-0.02%；

所述氨基酸的质量分数为0.01%-0.02%。

6.如权利要求1所述清洗液，其特征在于，所述强碱的质量分数为15%或5%；

所述醇胺的质量分数为8%；

所述抗氧化物的质量分数为0.01%；

所述多肽的质量分数为0.01%，0.02%，0.05%或0.1%；

所述氨基酸的质量分数为0.01%，0.02%，0.05%或0.1%；

所述缓蚀剂的质量分数为0.8%；

所述螯合剂的质量分数为0.9%；

所述表面活性剂的质量分数为0.7%。