[发明专利]一种碳化硅晶体的高温二次退火方法

权利要求书

1.一种碳化硅高温二次退火的方法，其特征在于，包括以下步骤，

（1）装晶体：擦洗石墨坩埚和晶体，然后将晶体装入坩埚内，将坩埚装入晶炉；

（2）升温：使用分段式加热程序，采用控功率模式，以一个额定功率升温20小时，把温度从室温升到1300-1500℃，然后采用控温模式，经过10小时控温，把温度控温到2000℃；

（3）保温：保证温度波动范围在2000±1℃之内；

（4）降温：采用阶梯式的降温程序，以每小时降温200W的功率降温10小时，再以每小时降温400W的功率降温10小时；用10小时把功率降到0，晶体在晶炉中经24小时充分冷却后取出；

所述装晶体阶段还包括以下步骤：

S1：在石墨坩埚体底部铺碳化硅多晶料，使用压块把晶料摊平、压实；

S2：在摊平、压实的多晶料上放5-8片圆形石墨纸，然后把晶体放在石墨纸上，石墨纸的投影面积大于晶体的投影面积；

S3：采用多个外径与坩埚内径相同，内径与晶体外径相同的同心石墨纸环，套在晶体外缘；

S4：放置好晶体后，将坩埚盖与坩埚体结合，并放入晶炉中进行二次退火；

步骤（3）中的保温阶段还包括以下步骤：

S1：利用额定温度升温模式找出保温目标温度2000℃对应的功率，通过 1小时的稳定，减少保温过程中的温度波动；

S2：采用控功率模式，经过40小时的保温，充分在高温下进行退火。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅高温二次退火的方法，其特征在于，在石墨坩埚底部铺一层，高度H为60-120mm的碳化硅多晶料。

3.根据权利要求2所述的一种碳化硅高温二次退火的方法，其特征在于，在石墨坩埚底部铺一层，高度H为70-90mm碳化硅多晶料。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅高温二次退火的方法，其特征在于，所述压块为一块光滑的圆柱形碳化硅晶体，并垂直于碳化硅晶体顶部粘结有手柄，粘结剂为石蜡，所述手柄的材料为石英柱。