[发明专利]一种化学机械抛光后清洗液及其制备方法

权利要求书

1.一种清洗液，其特征在于，其原料包括下列质量分数的组分：5%-15%的强碱、8%的单乙醇胺、0.01%的抗坏血酸、0.01%-0.1%的铜配合物、0.8%的2-巯基苯并噻唑、0.9%的丙二酸和0.7%的十二烷基苯磺酸，水补足余量，各组分质量分数之和为100%；所述的强碱为四甲基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、胆碱、(2-羟基乙基)三甲基氢氧化铵、三（2-羟乙基）甲基氢氧化铵、四丁基氢氧化膦和四甲基胍中的一种或多种，所述铜配合物的分子式为[Cu(NO₃)₂(C₁₅H₁₃N₅)₂]，其中C₁₅H₁₃N₅为配体1-(苯并三氮唑-1-甲基)-1-(2-甲基苯并咪唑)，分子结构式为：。

2.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述清洗液的原料由下列任一方案所示的组分组成：

方案1：15%的四甲基氢氧化铵、8%的单乙醇胺、0.01%的抗坏血酸、0.015%的铜配合物、0.8%的2-巯基苯并噻唑、0.9%的丙二酸、0.7%的十二烷基苯磺酸，水补足余量，各组分质量分数之和为100%；

方案2：15%的四甲基氢氧化铵、8%的单乙醇胺、0.01%的抗坏血酸、0.01%的铜配合物、0.8%的2-巯基苯并噻唑、0.9%的丙二酸、0.7%的十二烷基苯磺酸，水补足余量，各组分质量分数之和为100%；

方案3：15%的四甲基氢氧化铵、8%的单乙醇胺、0.01%的抗坏血酸、0.05%的铜配合物、0.8%的2-巯基苯并噻唑、0.9%的丙二酸、0.7%的十二烷基苯磺酸，水补足余量，各组分质量分数之和为100%；

方案4：5%的四甲基氢氧化铵、8%的单乙醇胺、0.01%的抗坏血酸、0.01%的铜配合物、0.8%的2-巯基苯并噻唑、0.9%的丙二酸、0.7%的十二烷基苯磺酸，水补足余量，各组分质量分数之和为100%；

方案5：15%的胆碱、8%的单乙醇胺、0.01%的抗坏血酸、0.1%的铜配合物、0.8%的2-巯基苯并噻唑、0.9%的丙二酸、0.7%的十二烷基苯磺酸，水补足余量，各组分质量分数之和为100%；

方案6：15%的四丙基氢氧化铵、8%的单乙醇胺、0.01%的抗坏血酸、0.015%的铜配合物、0.8%的2-巯基苯并噻唑、0.9%的丙二酸、0.7%的十二烷基苯磺酸，水补足余量，各组分质量分数之和为100%；

方案7：15%的(2-羟基乙基)三甲基氢氧化铵、8%的单乙醇胺、0.01%的抗坏血酸、0.015%的铜配合物、0.8%的2-巯基苯并噻唑、0.9%的丙二酸、0.7%的十二烷基苯磺酸，水补足余量，各组分质量分数之和为100%；

方案8：15%的三（2-羟乙基）甲基氢氧化铵、8%的单乙醇胺、0.01%的抗坏血酸、0.015%的铜配合物、0.8%的2-巯基苯并噻唑、0.9%的丙二酸、0.7%的十二烷基苯磺酸，水补足余量，各组分质量分数之和为100%；

方案9：15%的四丁基氢氧化膦、8%的单乙醇胺、0.01%的抗坏血酸、0.015%的铜配合物、0.8%的2-巯基苯并噻唑、0.9%的丙二酸、0.7%的十二烷基苯磺酸，水补足余量，各组分质量分数之和为100%；

方案10：15%的四甲基胍、8%的单乙醇胺、0.01%的抗坏血酸、0.015%的铜配合物、0.8%的2-巯基苯并噻唑、0.9%的丙二酸、0.7%的十二烷基苯磺酸，水补足余量，各组分质量分数之和为100%。

3.如权利要求2所述的清洗液，其特征在于，所述清洗液为用于化学机械抛光后半导体器件的清洗液。

4.如权利要求3所述的清洗液，其特征在于，所述半导体器件为铜晶片。

5.一种如权利要求1-4任一项所述的清洗液的制备方法，其特征在于，其包括下列步骤：将所述的原料混合，即可。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述的混合为将所述的原料组分中的固体组分加入到液体组分中，搅拌均匀，即可；

和/或，所述的混合的温度为室温；

和/或，所述制备方法还进一步包含振荡，过滤的操作。