[发明专利]一种驱动信号互锁电路有效

专利信息
申请号: 202110461082.X 申请日: 2021-04-27
公开(公告)号: CN113141107B 公开(公告)日: 2022-07-15
发明(设计)人: 李伟明;吕奇颖;许巍;马聚坤 申请(专利权)人: 微山县微山湖微电子产业研究院有限公司
主分类号: H02M1/38 分类号: H02M1/38;H02M1/088
代理公司: 成都鱼爪智云知识产权代理有限公司 51308 代理人: 赵晨宇
地址: 277699 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 驱动 信号 互锁 电路
【说明书】:

发明提出了一种驱动信号互锁电路,涉及电子电路技术领域。一种驱动信号互锁电路,其包括信号输入电路、信号处理电路、信号过渡电路和信号输出电路,信号处理电路的输入端接收输入信号,信号处理电路的输出端与信号过渡电路的输入端连接,信号过渡电路的输出端与信号输出电路的输入端连接,信号输入电路的输入端接收电源信号,信号输入电路与信号输出电路连接,信号输出电路的输出端发送输出信号。该驱动信号互锁电路采用了数字电路中的逻辑关系,通过输出信号的控制位于上下臂的MOS管可以交替导通,从而避免了由于位于上下臂的MOS管同时导通而造成MOS管短路的情况发生,也就避免了MOS管短路而引起MOS管损坏。

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域,具体而言,涉及一种驱动信号互锁电路。

背景技术

MOSFET模块作为最具有应用前景的功率半导体器件之一,已经广泛应用于电学领域。在将MOSFET模块应用到具体电路时,最常遇到的问题就是MOSFET功率模块损坏现象。为解决这一难题,技术人员对MOSFET功率模块的保护做了大量的研究工作,研究发现,MOSFET功率模块损坏主要原因是由于MOSFET功率模块同一相上、下桥臂同时导通导致直接短路而烧毁。

虽然目前对MOSFET功率模块的保护手段已经有了很多应用,但是仍然很难避免MOSFET功率模块中寄生电容的存在,则无法使得MOSFET功率模块立即关断,就会导致上下桥臂的MOSFET功率模块同时导通而短路,也就造成了MOS管损坏。

发明内容

本发明的目的在于提供一种驱动信号互锁电路,用以改善现有技术中由于电路中位于上下桥臂的MOSFET功率模块同时导通而短路,造成MOS管损坏的问题。

本发明的实施例是这样实现的:

本申请实施例提供一种驱动信号互锁电路,其包括信号输入电路、信号处理电路、信号过渡电路和信号输出电路,信号处理电路的输入端接收输入信号,信号处理电路的输出端与信号过渡电路的输入端连接,信号过渡电路的输出端与信号输出电路的输入端连接,信号输入电路的输入端接收电源信号,信号输入电路与信号输出电路连接,信号输出电路的输出端发送输出信号。

在本发明的一些实施例中,上述输入信号包括第一输入信号和第二输入信号,信号输入电路包括第一输入电路和第二输入电路,信号处理电路包括第一处理电路和第二处理电路,信号过渡电路包括第一过渡电路和第二过渡电路,输出信号包括第一输出信号和第二输出信号,第一过渡电路的一端与第一处理电路连接,第一处理电路的输入端接收第二输入信号,第一过渡电路的另一端与第一输出电路连接,第一输出电路的输出端输出第二输出信号,第一输出电路与第二输入电路连接,第二输入电路的输入端接收电源信号,第二过渡电路的一端与第二处理电路连接,第二处理电路的输入端接收第一输入信号,第二过渡电路的另一端与第二输出电路连接,第二输出电路的输出端输出第一输出信号,第二输出电路与第一输入电路连接,第一输入电路的输入端接收电源信号。

在本发明的一些实施例中,上述第一过渡电路包括二极管D4和电阻R8,二极管D4与电阻R8并联,二极管D4的阴极与第一处理电路连接,二极管D4的阳极接有电容C4,电容C4的另一端接地,二极管D4的阳极与第一输出电路连接。

在本发明的一些实施例中,上述第一处理电路包括与非门U3,与非门U3的第一引脚与电阻R3连接,电阻R3的另一端连接电源,与非门U3的第二引脚接入电阻R4与电阻R3的公共端,与非门U3的第六引脚连接电源,与非门U3的第三引脚接地,与非门U3的第四引脚与二极管D4的阴极连接。

在本发明的一些实施例中,上述第一输出电路包括与门U4,与门U4的第一引脚与第二输入电路连接,与门U4的第二引脚与二极管D4的阳极连接,与门U4的第三引脚接地,与门U4的第四引脚输出第二输出信号,与门U4的第四引脚连接有电阻R10,电阻R10的另一端接地。

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