[发明专利]偏移检测结构及基板偏移的检测方法在审
申请号: | 202110461226.1 | 申请日: | 2021-04-27 |
公开(公告)号: | CN113192930A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 王健鹏 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 周耀君 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 偏移 检测 结构 方法 | ||
1.一种偏移检测结构,其特征在于,包括:
第一基板,所述第一基板上形成有第一标记图案,所述第一标记图案包括多个等间距排布的第一标记;
第二基板,所述第二基板键合在所述第一基板上,所述第二基板上形成有与所述第一标记图案相对设置的第二标记图案,以利用所述第一标记图案中等间距排布的多个第一标记测量出所述第二标记图案相对所述第一标记图案的偏移量,进而获取所述第一基板和所述第二基板之间的偏移量。
2.如权利要求1所述的偏移检测结构,其特征在于,所述第二标记图案包括多个与所述第一标记一一对应的第二标记,所述多个第一标记中具有第一基准标记,所述多个第二标记中具有第二基准标记,所述第一基准标记和所述第二基准标记在相互对准的情况下指示出所述第一基板和所述第二基板之间为基板零偏移。
3.如权利要求2所述的偏移检测结构,其特征在于,在第M个第一标记和第M个第二标记相互对准的情况下,指示出所述第一基板和所述第二基板的偏离量为:第M个第一标记和第M个第二标记在所述基板零偏移的情况下所对应的预设偏移量。
4.如权利要求3所述的偏移检测结构,其特征在于,以所述第二基准标记为起始,相邻所述第二标记之间的排布间距依次增大或减小,以使得在所述基板零偏移的情况下多组一一对应的所述第二标记和所述第一标记中的预设偏移量依次增大或减小。
5.如权利要求2所述的偏移检测结构,其特征在于,所述多个第二标记沿着预定方向依次排布,以及所述第二基准标记排布在起始位置;或者,所述多个第二标记以十字形排布,以及所述第二基准标记排布在中间位置。
6.如权利要求1所述的偏移检测结构,其特征在于,所述第二标记图案包括多个第二标记,并且至少部分相邻的两个所述第二标记之间的间隙对应一个所述第一标记,以及所述多个第一标记中具有第一基准标记,由所述多个第二标记界定出的多个间隙中具有基准间隙,所述第一基准标记的侧壁与形成所述基准间隙的一所述第二标记的侧壁相互对准时,指示出所述第一基板和所述第二基板之间为基板零偏移。
7.如权利要求6所述的偏移检测结构,其特征在于,在第M个第一标记的侧壁,和形成与其对应的所述间隙的一第二标记的侧壁相互对准的情况下,指示出所述第一基板和所述第二基板的偏移量为:第M个第一标记的侧壁和形成与其对应的所述间隙的一第二标记的侧壁,在所述基板零偏移的情况下所对应的预设偏移量。
8.如权利要求6所述的偏移检测结构,其特征在于,以所述基准间隙为起点,所述第一标记的侧壁和形成与所述第一标记对应的所述间隙的一第二标记之间的距离依次增大或减小,以使得在所述基板零偏移的情况下,所述第一标记和形成与其对应的所述间隙的一第二标记之间的预设偏移量依次增大或减小。
9.如权利要求1所述的偏移检测结构,其特征在于,利用所述第一标记图案相对于所述第二标记图案的偏移方向,获取所述第一基板和所述第二基板之间的偏移方向。
10.一种基板偏移的检测方法,其特征在于,包括:
提供第一基板和第二基板,其中,所述第一基板上形成有第一标记图案,所述第一标记图案包括多个等间距排布的第一标记,所述第二基板键合在所述第一基板上,所述第二基板上形成有与所述第一标记图案相对设置的第二标记图案;
键合所述第一基板和所述第二基板,并利用所述第一标记图案中等间距排布的多个第一标记测量出所述第二标记图案的偏移量,进而获取所述第一基板和所述第二基板之间的偏移量。
11.如权利要求10所述的一种基板偏移的检测方法,其特征在于,在键合所述第一基板和所述第二基板后,还利用所述第一标记图案相对于所述第二标记图案的偏移方向,获取所述第一基板和所述第二基板之间的偏移方向。
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