[发明专利]半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202110461287.8 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113284798A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 朱一鸣;韩国庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供基底，在所述基底上形成介质层；
在所述介质层中形成若干通孔，所述通孔贯穿所述介质层并延伸至所述基底中；
在所述介质层上及所述通孔的底部形成第一金属层；
对所述第一金属层执行第一退火工艺；
去除所述介质层的表面的第一金属层；
对所述通孔的底部的第一金属层执行第二退火工艺。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述通孔的深宽比小于4。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件为屏蔽栅沟槽型晶体管。
4.如权利要求1或3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述基底中形成有栅极结构、源区和漏区，所述栅极结构与所述源区均位于所述基底的正面，所述源区位于所述栅极结构两侧，所述漏区位于所述基底的背面，所述通孔至少延伸至所述栅极结构及所述源区中。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述介质层的材质为氮化物或氧化物。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度为
7.如权利要求6所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一金属层的材质包括钛、钨、钴或铂中的一种或多种。
8.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述介质层的表面的第一金属层。
9.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一退火工艺的温度为500℃～600℃，所述第二退火工艺的温度为800℃～900℃。
10.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在对所述第一金属层执行第二退火工艺后，还在所述通孔中填充第二金属层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
