[发明专利]一种腐蚀锗片的方法

说明书

本发明提供了一种腐蚀锗片的方法，包括以下步骤：A)将厚度差在±0.025mm内的锗片固定在同一卡槽内，然后将所述放有锗片的卡槽置于腐蚀液中，进行腐蚀；所述腐蚀液为体积比为(2～5):1的硝酸和氢氟酸的混合液；B)待腐蚀液开始冒红烟，在腐蚀液中缓慢加入纯水，直至红烟变黄烟，继续腐蚀1～2min；C)使用纯水稀释腐蚀液，然后取出卡槽，清洗锗片并干燥。本发明在腐蚀液开始冒红烟的时候缓慢加入纯水，使反应前期锗片可快速反应，并防止反应后期温度过高、反应过于激烈而导致的锗片表面发黑。本发明中的方法在保证腐蚀效率的同时，解决了现有酸腐蚀中反应速率难以控制，锗片表面易发黑的技术问题。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种腐蚀锗片的方法。

背景技术

置于磁场中的载流导体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场。这一显现是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年发现的，后被称为霍尔效应。根据霍尔效应，人们用半导体材料如锗片、硅片等制成霍尔元件，霍尔元件具有对磁场敏感、结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点。利用霍尔元件可以测量磁场，可以研究半导体中载流子的类别和特性等，也可以利用它制作传感器，用于磁读出头、隔离器，转速仪等。

对于锗片制备的霍尔元件，在进行霍尔检测之前，需要对锗片进行腐蚀光亮，现有的碱腐蚀速率慢，受温度影响较大，反应随时间先增后减，得到的锗片粗糙度大、光洁度小，表面易发白；如吕菲(中国电子科技集团公司第四十六研究所，2007)公布了两种碱性腐蚀，氢氧化钾和过氧化氢，氢氧化铵和过氧化氢腐蚀液。而现有的酸腐蚀的腐蚀速度过快，较激烈，不易控制，去除量不稳定，表面易发黑。

发明内容

基于此，本发明的目的在于提供一种腐蚀锗片的方法，本发明中的方法为一种速率可控的酸腐蚀方法，且腐蚀后的锗片光洁度高，粗糙度小。

本发明提供一种腐蚀锗片的方法，包括以下步骤：

A)将厚度差在±0.025mm内的锗片固定在同一卡槽内，然后将所述放有锗片的卡槽置于腐蚀液中，进行腐蚀；

所述腐蚀液为体积比为(2～5):1的硝酸和氢氟酸的混合液；

B)待腐蚀液开始冒红烟，在腐蚀液中缓慢加入纯水，直至红烟变黄烟，继续腐蚀1～2min；

C)使用纯水稀释腐蚀液，然后取出卡槽，清洗锗片并干燥。

优选的，所述腐蚀液中硝酸和氢氟酸的质量比为(3～4)：1。

优选的，所述步骤B)中，在冒出红烟1～2min后加入纯水(混合液：纯水＝20：1)。

优选的，所述步骤C)中，加入的纯水与所述腐蚀液的体积比为1：(3-5)。

优选的，所述锗片在腐蚀之前使用沾有酒精的无尘布擦拭干净。

本发明提供了一种腐蚀锗片的方法，包括以下步骤：A)将厚度差在±0.025mm内的锗片固定在同一卡槽内，然后将所述放有锗片的卡槽置于腐蚀液中，进行腐蚀；所述腐蚀液为体积比为(2～5):1的硝酸和氢氟酸的混合液；B)待腐蚀液开始冒红烟，在腐蚀液中缓慢加入纯水，直至红烟变黄烟，继续腐蚀1～2min；C)使用纯水稀释腐蚀液，然后取出卡槽，清洗锗片并干燥。本发明的关键点在于，在腐蚀液开始冒红烟的时候缓慢加入纯水，使反应前期锗片可快速反应，并防止反应后期温度过高、反应过于激烈而导致的锗片表面发黑。本发明中的方法在保证腐蚀效率(腐蚀时间2～3min)的同时，解决了现有酸腐蚀中反应速率难以控制，锗片表面易发黑的技术问题。

具体实施方式

本发明提供了一种腐蚀锗片的方法，包括以下步骤：

A)将厚度差在±0.025mm内的锗片固定在同一卡槽内，然后将所述放有锗片的卡槽置于腐蚀液中，进行腐蚀；